- 全球的封裝設計普及率和產能正在不斷擴大。封裝產能是一個方面，另一方面是在原型基板和封裝上投入資源之前，進行測試和評估的需求。這意味著設計人員需要利用仿真工具來全面評估封裝基板和互連。異構集成器件的封裝是非常先進的設計，當然也需要電氣仿真。但是這些熱機電系統是否還需要其他仿真呢？您也許已經猜到了，確保高可靠性封裝涉及到一系列測試，而多用途仿真工具可以提供高準確度的結果。先進封裝的三個仿真領域從大方面來說，需要從三個不同領域開展仿真和實驗來確?？煽啃?。首先要先進行仿真，這為設計團隊提供了在測試之前修改封裝的機
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芯片封裝 仿真
- ●? ?借助由仿真驅動的虛擬合規(guī)性測試解決方案，采用更智能、更精簡的工作流程，提高?PCIe?設計的工作效率●? ?具有設計探索和報告生成能力，可加快小芯片的信號完整性分析以及?UCIe?合規(guī)性驗證，從而幫助設計師提高工作效率，縮短新產品上市時間System Designer for PCIe?是一種智能的設計環(huán)境，用于對最新PCIe Gen5?和?Gen6?系統進行建模和仿真是德科技（
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是德科技 System Designer Chiplet PHY Designer 仿真
- 設想一個場景：一個電池組連接到充電器上正在充電。第 1 分鐘，一切正常，電能正常流入電池組。突然，一個電池單元發(fā)生短路并迅速升溫，進而引發(fā)連鎖反應，電池組中的其他電池紛紛效仿。20 分鐘后，整個電池組已經完全損壞。為了研究這種存在安全隱患的情況，我們模擬了一個經歷這種快速變化過程的電池組。電池出問題的風險當電池超出其正常工作范圍、受損或發(fā)生短路時，就會像上述極端一樣經歷熱失控。在這個過程中，一個電池單元會不受控制地升溫，并引發(fā)鄰近電池效仿。當過多的熱量產生卻沒有足夠的散熱來抵消時，整塊電池就會出現熱失控。
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COMSOL 仿真 電池
- 在邏輯電平轉換期間，電流短暫地流過兩個晶體管。本文探討了由此產生的功耗，并為測量電流和功率提供了一些有用的LTspice技巧。在本系列的第一篇文章中，我們研究了CMOS反相器的動態(tài)和靜態(tài)功耗。在隨后的文章中，我們使用LTspice模擬來進一步了解電容充電和放電引起的功耗。作為討論的一部分，我們創(chuàng)建了如圖1所示的LTspice反相器電路。增加了負載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。 圖1。具有負載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。我們將在本文中繼續(xù)使用上述原理圖，研
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CMOS逆變器，短路功耗，仿真，LTspice
- 信號完整性的定義 定義：信號完整性（Signal Integrity,簡稱SI）是指在信號線上的信號質量。差的信號完整性不是由某一單一因素導致的，而是板級設計中多種因素共同 引起的。當電路中信號能以要求的時序、持續(xù)時間和電壓幅度到達接收端時，該電路就有很好的信號完整性。當信號不能正常響應時，就出現了信號完整性問題。信號完整性包含：1、波形完整性（Waveform integrity）2、時序完整性（Timing integrity）3、電源完整性（Power integrity）信號完整性分析的目的就是用
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PCB設計 信號 仿真
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
- 我們經常討論PCB中損耗大小的問題。有的工程師就會問，哪些因為會影響損耗的大小呢？其實，最常見的答案通常會說PCB材料的損耗因子、PCB傳輸線的長度、銅箔粗糙度，其實答案肯定遠不至于此。下面我們分別就相應參數做一些實驗給大家介紹下PCB板中哪些因素對傳輸線損耗有影響。首先看看介質損耗因子Df對損耗的影響，以Df為變量，分析Df的變化對損耗的影響，下圖是分析的原理圖：仿真對比結果如下，顯然，隨著PCB介質損耗因子的變大，損耗越來越大：長度也是損耗的主要因素之一，把傳輸線長度設定為Len變量，分析Len的變化
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PCB 損耗 仿真
- 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面從而確保內存穩(wěn)定，另外，DDR4內存的金手指設計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當然，DDR4最重要的使命還是提高頻率和帶寬，總體來說，DDR4具有更高的性能，更好的穩(wěn)定性和更低的功耗，那么從SI的角度出發(fā)，主要有下面幾點, 下面章節(jié)對主要的幾個不同點進行說明。表1 DDR3和DDR
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DDR4 PCB設計 仿真
- 過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
- 隨著物聯網互聯設備和5G連接等技術創(chuàng)新成為我們日常生活的一部分，監(jiān)管這些設備的電磁輻射并量化其EMI抗擾度的需求也隨之增加。滿足EMC合規(guī)目標通常是一項復雜的工作。本文將介紹如何通過開源LTspice仿真電路來回答以下關鍵問題：(a)?我的系統能否通過EMC測試，或者是否需要增加緩解技術？(b)?我的設計對外部環(huán)境噪聲的抗擾度如何？為何要使用LTspice進行EMC仿真？針對EMC的設計應該盡可能遵循產品發(fā)布日程表，但事實往往并非如此，因為EMC問題和實驗室測試可能將產品發(fā)布延遲數月。
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LTspice EMC 仿真
- 中國上海，2023 年 8 月10日 – VIAVI Solutions（納斯達克股票代碼：VIAV）近日推出業(yè)界首款用于 5G 網絡測試的輕量級（RedCap）設備仿真，實現真正意義上的RedCap性能驗證，RedCap是基于新一類更簡單、更低成本設備（包括可穿戴設備、工業(yè)無線傳感器和視頻監(jiān)控）的物聯網（IoT）和專用網絡。該解決方案基于TM500 網絡測試平臺，被廣大網絡設備制造商用于基站性能測試。?3GPP在5G NR R17標準中引入了 RedCap 設備，也稱為寬帶物聯網或 NR-Li
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VIAVI RedCap 仿真 5G物聯網
- 屏蔽電纜的屏蔽層主要是作為電磁輻射、電磁干擾和接地保護的作用。屏蔽層懸浮電位的接地主要有單點接地、多點接地、交叉互聯和連續(xù)交叉互聯等方式。對于接地的屏蔽電纜是由電容效應和電感效應組成的。本文通過仿真模擬137/220 kV屏蔽電纜單端接地與雙端接地的電容效應，研究不同高壓輸電線路下屏蔽電纜的電壓電流分布特性，進而分析220、330、500 kV屏蔽電纜屏蔽層的電壓電流特性和損耗特性。
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202305 屏蔽電纜 屏蔽層 接地 仿真 電容效應
- 半導體行業(yè)在了解 IC 老化如何影響可靠性方面正在取得進展，但仍有問題待解決。
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Cadence 仿真
- 為了設計出滿足用戶要求的大功率短波發(fā)射機結構，詳細描述了結構設計思路，通過介紹整機結構布局設計、機柜機箱設計、熱設計和散熱仿真，達到對大功率短波發(fā)射機結構設計作總結的目的，對短波通信行業(yè)的設計人員提供一定參考。
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短波 大功率 液冷 仿真 202212
- 隨著美國正式簽署《芯片與科學法案》，國內半導體設計公司對于國際EDA 的使用限制將越來越嚴格。但是，考慮到當前絕大多數的設計公司還在使用國際EDA 廠商的設計流程，作為后來者的國產EDA 公司，目前絕大多數是點工具，且愿意使用的設計企業(yè)非常有限。面對困局，我們采訪了國內EDA 的領先企業(yè)芯和半導體的聯合創(chuàng)始人代文亮博士。代博士提出了一個很重要的觀點：國產EDA 要搶占市場需要打破用戶的使用門檻，增強用戶體驗。首先是與現有國際設計流程的融合，讓用戶先能用起來。在這個過程中，相比用戶對布局布線工具的天然排他性
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202209 仿真 EDA
仿真介紹
仿真英文全稱是 :Simulation
即:使用項目模型將特定于某一具體層次的不確定性轉化為它們對目標的影響，該影響是在項目整體的層次上表示的。項目仿真利用計算機模型和某一具體層次的風險估計，一般采用蒙特卡洛法進行仿真。
利用模型復現實際系統中發(fā)生的本質過程，并通過對系統模型的實驗來研究存在的或設計中的系統，又稱模擬。這里所指的模型包括物理的和數學的，靜態(tài)的和動態(tài)的，連續(xù)的和離散 [
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