如何選擇合適元件用于高速數(shù)字通信系統(tǒng)的熱插拔電路設(shè)計(jì)
電路板將插入-48V背板中,所以要一個(gè)1.2V輸出和60A峰值負(fù)載或72W轉(zhuǎn)換器。和大多數(shù)電源制造商一樣,建議在電源的Vin(+)引腳和Vin(-)引腳之間加一個(gè)220μF電容器,輸入線電壓可以在-75V至-35V之間,制造商指定在60A負(fù)載時(shí)最大輸入電流為2.8A。另外你也可以自己計(jì)算該電流,最大輸入電流出現(xiàn)于負(fù)載功率最大且輸入電壓最小時(shí),即
IInput max=Pout max/(Vin min×η)
=72W/(36V×0.72)=2.8A
其中η是該線路和負(fù)載條件下的最差效率。
選擇MOSFET
根據(jù)要滿足的技術(shù)規(guī)范,ETSI ETS300 132-2(100V瞬時(shí)電壓持續(xù)100ms)或Bell Core Gr-513-CORE電信規(guī)范均可保證抵抗持續(xù)10ms -75V、持續(xù)10μs -100V和持續(xù)1μs -200V電涌。如果系統(tǒng)規(guī)范是承受100ms 100V電壓,則需選擇一個(gè)100V MOSFET,我們希望熱插拔MOSFET上的電壓降最小,同時(shí)使功率損失也最小。非故障條件下MOSFET的最大功率損失為:
P=Imax2×Rds(on)
如果考慮使用D2Pak封裝的NTB52N10,其額定值為100V BVDSS,則在Vgs=10V時(shí)最大Rds(on)為30mΩ。最大Pwr(on)損失
P=Ipk2×Rds(on)max=2.82×0.03=0.24W
短路時(shí)的安全性
負(fù)載短路時(shí),全部Vin都加在MOSFET上。這是最糟糕的情況,電流只受MOSFET Rds(on)和熔斷絲電阻的限制。從控制器的技術(shù)規(guī)范出發(fā),假定你正使用一個(gè)具有3μs傳播延時(shí)的控制器,用于響應(yīng)故障并下拉MOSFET基準(zhǔn)以維持模擬電流限制,則最壞情況下的電流為:
Ifaultworstcase=Vinmax/(Rds(on)+Rfuse)=75V/(0.030+0.035)=1,154A
當(dāng)然,隨著MOSFET溫度上升,其Rds(on)也將上升,最后從MOSFET曲線的線性區(qū)移到飽和區(qū),MOSFET將自行限制到180A左右,短路時(shí)的功率為:
Pwrshortcircuit=Vinmax×Imax=75V×180A=13,500W
現(xiàn)在市場(chǎng)上有很多熱插拔控制器出售,請(qǐng)密切注意所選擇的電流驅(qū)動(dòng)控制器的速度和驅(qū)動(dòng)能力。Rsense電路斷路器限制電壓設(shè)為可接受的電大輸入電流,同時(shí)必須檢查短路情況下MOSFET的最差結(jié)溫,它必須低于最大額定操作結(jié)溫以確保設(shè)計(jì)安全可靠。
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評(píng)論