一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)
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工藝的設(shè)計(jì)考慮到性能、可靠性和可生產(chǎn)性之間的平衡。從成品率 損失Pareto 圖 Fig. 5 中可以看出發(fā)射區(qū)/基區(qū)短路是影響成品率的主要原因，基區(qū)電極柱損失是影響遠(yuǎn)小于發(fā)射區(qū)/基區(qū)短路的第二個(gè)原因。影響成品率的其它失效模式的影響相對(duì)較小，都在測(cè)試不確定范圍內(nèi)。由500個(gè)晶體管組成的典型電路所達(dá)到的成品率已能夠滿足小規(guī)模儀器的應(yīng)用應(yīng)用。
一種新的工藝技術(shù)對(duì)于Agilent復(fù)雜且規(guī)模較小的生產(chǎn)其晶片成品率大都如此。造成晶片成品率損失的原因主要有程序錯(cuò)誤、晶片破裂、工藝和/或儀器問題。我們的經(jīng)驗(yàn)顯示GaAsSb/InP雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管DHBTs并不存在異于其它化合物半導(dǎo)體的特有失效機(jī)制和更低的可生產(chǎn)性。
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評(píng)論