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1nm制程集成電路新賽道準備就緒!

  • 近日,北京科技大學與新紫光集團簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將聚焦先進制程集成電路的前瞻技術和關鍵核心技術研究,開展科技創(chuàng)新、成果轉化、人才培養(yǎng)等全方位合作,共同打造集成電路領域的未來科學與技術戰(zhàn)略高地。據北京科技大學介紹,雙方將共同建設“二維材料與器件集成技術聯(lián)合研發(fā)中心”“8英寸二維半導體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高水平研發(fā)平臺,重點開展二維半導體材料與器件的規(guī)模化制備工藝和芯片設計制造等方面的產學研合作,在二維半導體材料制備、關鍵裝備研發(fā)、集成制造工藝技術等方面協(xié)同攻關。中國科學院院士、北京科技大學前沿交
  • 關鍵字: 1nm  制程  集成電路  

三星1nm量產計劃或將提前至2026年

  • 據外媒報道,三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上,正式公布其1nm制程工藝計劃,并計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到2026年。據了解,三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工,并計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時芯片面積減少5%。報道中稱,三星加速量產1nm工藝的信心,或許來自于“Gate-All-Around(
  • 關鍵字: 三星  1nm  晶圓  

晶圓代工:1nm芯片將至?

  • 生成式AI強勁需求推動之下,不僅高性能AI芯片廠商持續(xù)受益,晶圓代工領域也嘗到了先進制程帶來的甜頭,進而持續(xù)瞄準2nm、1nm等制程芯片生產。近期,晶圓代工廠商先進制程布局再次傳出新進展。1nm 2027年投入生產?近期,英特爾對外表示Intel 18A將于今年年底量產。為推銷該工藝節(jié)點,韓媒表示英特爾執(zhí)行長Pat Gelsinger去年會見韓國IC設計公司高層,以爭取商機。Intel 18A之后,英特爾還將積極瞄準更先進的制程工藝。據悉,英特爾近期對外公布了Intel 14A(1.4nm制程)路線,但未
  • 關鍵字: 晶圓代工  1nm  

沖刺 1nm 制程,日本 Rapidus、東京大學與法國研究機構合作開發(fā)尖端半導體

  • IT之家 11 月 17 日消息,據《日本經濟新聞》當地時間今日凌晨報道,日本芯片制造商 Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構 Leti 合作,共同開發(fā)電路線寬為 1nm 級的新一代半導體設計的基礎技術。報道稱,雙方將從明年開始展開人員交流、技術共享,法國研究機構 Leti 將貢獻其在芯片元件方面的專業(yè)技術,以構建供應 1nm 產品的基礎設施。雙方的目標是確立設計開發(fā)線寬為 1.4nm-1nm 的半導體所需要的基礎技術。制造 1nm 產品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結構,Leti 在該領域的
  • 關鍵字: Rapidus  1nm  晶圓代工  

IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖:FinFET將于3nm到達盡頭

  • 近日,比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖,分享對應晶體管架構研究和開發(fā)計劃。外媒報導,IMEC制程藍圖顯示,FinFET晶體管將于3納米到達盡頭,然后過渡到Gate All Around(GAA)技術,預計2024年進入量產,之后還有FSFET和CFET等技術?!鱏ource:IMEC隨著時間發(fā)展,轉移到更小的制程節(jié)點會越來越貴,原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景,包括芯片分解至更小,將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元,然后以3D排列堆疊至其
  • 關鍵字: IMEC  1nm  制程  FinFET  

不止2納米,Rapidus還計劃興建1nm制程芯片廠?

  • 為重振日本半導體,由索尼集團和NEC等8家科技大廠共同投資的合資企業(yè)Rapidus計劃到2025年在日本制造出尖端的2nm芯片。近日,Rapidus表示,不止2nm,還將向1nm進軍。據日媒報道,近期在媒體圓桌會議中,Rapidus社長小池淳義說明了北海道千歲市新廠興建計劃和員工招聘情況。據悉,該千歲廠將興建2棟以上的廠房,且除了2nm之外,也將興建1nm制程芯片廠房。預計2027年開始IIM 1(第1棟廠房)將生產2nm芯片,而IIM 2(第2棟廠房)將生產1nm產品。之后也考慮將廠房數擴增至3-4
  • 關鍵字: 2納米  Rapidus  1nm  芯片廠  

EUV電老虎 臺積電1nm工廠耗電驚人:輕松百億度

  • 臺積電在先進工藝上的布局深遠,除了已經量產的5nm、4nm之外,明年重點量產3nm,2nm工藝則會在2025年量產,1nm工藝也在路上了,已經開始選址工作,2028年有望量產。1nm芯片工廠的投資驚人,3nm、5nm工廠的建設資金大約是200億美元,1nm工藝的投資計劃高達320億美元,輕松超過2000億元,成本要比前面的工藝高多了。不僅如此,1nm工廠的耗電量也會是個麻煩,相比3nm工廠年耗電量70億度的水平來說,1nm工廠不會少于80億度,甚至接近100億度。這是什么概念?預計到了2028年,這個1n
  • 關鍵字: 臺積電  1nm  

臺積電1nm晶圓廠最早有望于2026年動工,2028年量產

  • 晶圓代工龍頭臺積電此前預計3nm制程將于第4季度量產,2nm于2025年量產,近期1nm也有了消息。據中國臺灣經濟日報報道,臺積電1nm新廠此前已確定落腳竹科龍?zhí)秷@區(qū),該園區(qū)相關負責人王永壯于15日受訪時透露,竹科龍?zhí)秷@區(qū)三期擴建先導計劃已上報,若一切順利,目標2026年中即可供廠商展開建廠作業(yè)。業(yè)界認為,這意味著臺積電1納米廠最快2026年中可開始動土,最快2027年試產、2028年量產,屆時臺積電海外廠區(qū)最先進制程應仍在3納米。
  • 關鍵字: 臺積電  1nm  晶圓廠  

摩爾定律不死 臺積電已在謀劃1nm工藝:下代EUV光刻機是關鍵

  •   在先進工藝上,臺積電今年底量產3nm工藝,2025年則是量產2nm工藝,這一代會開始使用GAA晶體管,放棄現在的FinFET晶體管技術?! ≡偻竽??2nm之后是1.4nm工藝,Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺,其中三星首個宣布2027年量產1.4nm工藝,臺積電沒說時間點,預計也是在2027年左右?! ?.4nm之后就是1nm工藝了,這個節(jié)點曾經被認為是摩爾定律的物理極限,是無法實現的,但是現在芯片廠商也已經在攻關中?! ∨_積電已經啟動了先導計劃,傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下
  • 關鍵字: 光刻機  臺積電  摩爾定律  1nm  

芯片制程突破1nm后,這個發(fā)展方向很有前景

  • 眾所周知,芯片的工藝是越來越先進,臺積電的代工能力已經到5nm了,而且直言不諱的表示3nm、2nm已經在路上了。隨著集成電路的發(fā)展,計算機一直受到摩爾定律的支配,目前,芯片都是由硅為基礎,在上面刻蝕電路,但是,理論研究表明,當芯片制程達到1nm的時候,量子隧穿效應,就是電子不受控制,所以這是人們很擔心的問題,1nm后怎么辦?芯片上有無數個晶體管,他們是芯片的核心,也就說,目前的技術是要把晶體管做的越來越小,這樣,芯片上能容納的晶體管就很多,芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1 nm柵極長度的二硫
  • 關鍵字: 1nm  量子隧穿效應  

1nm工藝CPU還有多遠?臺積電即將挑戰(zhàn)極限:進軍1nm工藝

  • 我們現在使用的半導體大部分是硅基電路,問世已經60年了,多年來都是按照摩爾定律2年一次微縮的規(guī)律發(fā)展,但它終究是有極限的。臺積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后,下一步就要進軍1nm工藝了。根據臺積電的規(guī)劃,今年會量產5nm工藝,2022年則會量產3nm工藝,2nm工藝已經在研發(fā)中了,預計會在2024年問世。2nm之后呢?臺積電在日前的股東大會上也表態(tài),正在研究2nm以下的工藝,正在一步步逼近1nm工藝。1nm工藝不僅僅是這個數字看上重要,它還有更深的含義——1nm級別的工藝有可能是硅基半導體的終結
  • 關鍵字: 1nm  臺積電  

美國科研人員實現1nm 制程工藝

  •   Intel、TSMC及三星三大半導體工廠今年將量產10nm工藝,他們中進度快的甚至準備在明年上馬7nm工藝,2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級,半導體工藝也越來越逼近極限了,制造難度越來越大,5nm之后的工藝到現在為止都沒有明確的結論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點上,美國又走在了前列,美國布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布實現了1nm工藝制造。   來自EETimes的報道稱,美國能源部(DOE)下屬的布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄,他們成
  • 關鍵字: 1nm  制程  

1nm晶體管現身!

  •   以物理學規(guī)則來看,電晶體的最小尺寸被認為是5奈米,但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極,這個極限已經被突破…   碳奈米管從過去幾十年就已經用于制作實驗性電晶體,但大多是當做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate),并因此實現了號稱全世界最小的電晶體。        采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
  • 關鍵字: 1nm  晶體管  

為什么說7nm是物理極限?如何看待晶體管制程從14nm縮減到了1nm?

  •   適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來看,7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過據外媒報道,勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限,采用碳納米管復合材料將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么,為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限,碳納米管復合材料又是怎么一回事呢?面對美國的技術突破,中國應該怎么做呢?   XX nm制造工藝是什么概念?   芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示,比如Intel最新的六代酷
  • 關鍵字: 制程  1nm  
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1nm介紹

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