USB 3.0端口的ESD保護(hù)方案

　　USB 3.0的SuperSpeed接口需要比USB 2.0電容更低的ESD保護(hù)。增加極低電容PESD器件可以減小插入損耗，滿足USB 3.0的眼圖要求。PESD器件的典型電容為0.2pF，超過6 GHz范圍內(nèi)插入損耗平穩(wěn)，同時(shí)可以應(yīng)對(duì)各種ESD瞬態(tài)。

　　與多數(shù)傳統(tǒng)MLV(多層變阻器)或TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管技術(shù)相比，PESD器件具有更低的電容，而其低觸發(fā)電壓和低鉗位電壓也有助于保護(hù)敏感電子元件。該器件適用于USB2.0的高速D+和D-信號(hào)線和USB 3.0的SuperSpeed信號(hào)線。在電路保護(hù)設(shè)計(jì)方案中增加PESD器件可以實(shí)現(xiàn)滿足IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的保護(hù)水平，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定接觸模式為8kV (典型)/15kV(最大)，規(guī)定空氣放電模式為15kV(典型)/25kV(最大)。

　　協(xié)同電路保護(hù)

　　協(xié)同電路保護(hù)設(shè)計(jì)可用于改善對(duì)USB應(yīng)用中大電流、高電壓和ESD瞬態(tài)的保護(hù)。圖5和圖6給出了USB 3.0設(shè)計(jì)方案需要的附加電路器件，并與USB 2.0設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了比較。

　　器件推薦

　　PolySwitch過流保護(hù)器件可以幫助設(shè)計(jì)人員滿足USB 3.0規(guī)范的大電流要求并提供簡單、節(jié)省空間的解決方案。PESD器件具有高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用所需的低電容(一般為0.2pF)和電子行業(yè)最普遍的外形尺寸。PolyZen器件能為設(shè)計(jì)人員提供傳統(tǒng)鉗位二極管的易用性，又不需要大量的散熱。這種單一器件有助于對(duì)使用不正確電源提供保護(hù)，也能防止因過流事件而造成損傷。

　泰科電子建議在ESD保護(hù)中使用以下器件：

　　USB 2.0高速D+/D-線和USB 3.0 SuperSpeed線：

　　● PESD0402-140 (EIA 0402規(guī)格)

　　● PESD0603-240 (EIA 0603規(guī)格)

　　5VDC線：

　　● PESD: PESD0402-140 (EIA 0402規(guī)格)，或

　　● MLV: MLV0402-120-E120、MLV0402-180-E030或

　　MLV0603-130M-C201

　　泰科電子建議在USB過流保護(hù)中使用的器件如表1所示。

　　泰科電子建議在所有USB受電設(shè)備上安裝過壓保護(hù)器件，特別是VBUS端口上，如表2所示。