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小米公司成功流片國(guó)內(nèi)首款3nm手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片

  • 10月20日消息，據(jù)北京衛(wèi)視消息，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局總經(jīng)濟(jì)師唐建國(guó)表示，小米公司成功流片國(guó)內(nèi)首款3nm手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片。所謂流片，就是像流水線一樣通過(guò)一系列工藝步驟制造芯片，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是芯片公司將設(shè)計(jì)好的方案，交給晶圓制造廠，先生產(chǎn)少量樣品，檢測(cè)一下設(shè)計(jì)的芯片能不能用，根據(jù)測(cè)試結(jié)果決定是否要優(yōu)化或大規(guī)模生產(chǎn)。為了測(cè)試集成電路設(shè)計(jì)是否成功，必須進(jìn)行流片，這也是芯片設(shè)計(jì)企業(yè)一般都在前期需要投入很大成本的重要原因。此時(shí)的小米再次成功流片，距離上次小米澎湃S1發(fā)布，相隔了7年多時(shí)間。在2017年，小米澎湃S1正式
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小米王騰：最新 3nm 制程工藝成本大幅增加、內(nèi)存持續(xù)漲價(jià)，年底這一波旗艦定價(jià)都挺難的

  • IT之家 10 月 15 日消息，小米中國(guó)區(qū)市場(chǎng)部副總經(jīng)理、Redmi 品牌總經(jīng)理王騰今日發(fā)文，解釋了今年旗艦手機(jī)漲價(jià)的原因：一是旗艦處理器升級(jí)最新 3nm 制程，工藝成本大幅增加另一方面是內(nèi)存經(jīng)過(guò)持續(xù)一年的漲價(jià)，已經(jīng)到了高點(diǎn)，所以大內(nèi)存的版本漲幅更大王騰表示：“年底這一波旗艦定價(jià)都挺難的，每一款好產(chǎn)品都值得被鼓勵(lì)。”IT之家注意到，王騰在這條微博評(píng)論區(qū)表示：“堅(jiān)持價(jià)格厚道”“耐心等下，一定不讓大家失望”。a10 月 10 日，王騰發(fā)文稱：“Redmi 的旗艦新品詳細(xì)梳理了一遍，這一代產(chǎn)品定位和
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安卓第一款3nm芯片！聯(lián)發(fā)科天璣9400官宣：vivo全球首發(fā)

  • 9月24日消息，今天，聯(lián)發(fā)科官方宣布將于10月9日舉行新一代MediaTek天璣旗艦芯片新品發(fā)布會(huì)。本次發(fā)布會(huì)將發(fā)布天璣9400移動(dòng)平臺(tái)，這將是聯(lián)發(fā)科最強(qiáng)悍的手機(jī)芯片，它首次采用臺(tái)積電3nm工藝制程，是安卓陣營(yíng)第一顆3nm芯片。不止于此，天璣9400首發(fā)采用Arm Cortex-X925超大核，這次為了突出CPU升級(jí)巨大，Arm專門更改了Cortex-X的命名規(guī)則，對(duì)比上代X4，Cortex-X925超大核性能提升36%，AI性能提升41%。GPU方面，天璣9400搭載最新的Mali-G925-Immor
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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

  • 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號(hào)承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對(duì)其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請(qǐng)期待我們對(duì)Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星3nm取得突破性進(jìn)展！Exynos 2500樣品已達(dá)3.20GHz

  • 7月14日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3.20GHz的高頻運(yùn)行，這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期，而且比蘋果A15 Bionic更省電，效率表現(xiàn)更為出色。此前，有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過(guò)低的擔(dān)憂一度影響了市場(chǎng)對(duì)Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機(jī)的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過(guò)三星在月初的聲明中，對(duì)外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進(jìn)行了否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定，產(chǎn)
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臺(tái)積電試產(chǎn)2nm制程工藝，三星還追的上嗎？

  • 據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學(xué)園區(qū)的寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備已進(jìn)駐廠區(qū)并安裝完畢，相較市場(chǎng)普遍預(yù)期的四季度提前了一個(gè)季度。芯片制程工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)是為了確保穩(wěn)定的良品率，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)之后也還需要一段時(shí)間才會(huì)量產(chǎn)。在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家是多次提到在按計(jì)劃推進(jìn)2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產(chǎn)。值得一提的是，臺(tái)積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)蘋果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺(tái)積電2nm步入GAA時(shí)代作為3n
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曝臺(tái)積電3nm瘋狂漲價(jià)：6nm/7nm制程卻降價(jià)了

  • 7月8日消息，業(yè)內(nèi)人士手機(jī)晶片達(dá)人爆料，臺(tái)積電6nm、7nm產(chǎn)能利用率只有60%，明年1月1日起臺(tái)積電會(huì)降價(jià)10%。與之相反的是，因3nm、5nm先進(jìn)制程工藝產(chǎn)能供不應(yīng)求，臺(tái)積電明年將漲價(jià)5%-10%。業(yè)內(nèi)人士表示，臺(tái)積電3nm漲價(jià)底氣在于，蘋果、高通、英偉達(dá)與AMD等四大廠包攬臺(tái)積電3nm家族產(chǎn)能，甚至出現(xiàn)了排隊(duì)潮，一路排到2026年。受此影響，采用臺(tái)積電3nm制程的高通驍龍8 Gen4價(jià)格將會(huì)上漲，消息稱驍龍8 Gen4的最終價(jià)格將超過(guò)200美元，也就是說(shuō)單一顆芯片的價(jià)格在1500元左右，相關(guān)終端價(jià)格
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聯(lián)發(fā)科、高通手機(jī)旗艦芯片Q4齊發(fā) 臺(tái)積電3nm再添大單

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8日訊，聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機(jī)旗艦芯片將于第四季推出，兩大廠新芯片都以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn)，近期進(jìn)入投片階段。臺(tái)積電再添大單，據(jù)了解，其3nm家族制程產(chǎn)能客戶排隊(duì)潮已一路排到2026年。在臺(tái)積電3nm制程加持之下，天璣9400的各面向性能應(yīng)當(dāng)會(huì)再提升，成為聯(lián)發(fā)科搶占市場(chǎng)的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時(shí)間與細(xì)節(jié)，外界認(rèn)為，該款芯片也是以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn)，并于第四季推出。價(jià)格可能比當(dāng)下的驍龍8 Gen 3高25％~30％，每顆報(bào)價(jià)來(lái)到220美元~240
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性能暴增3.7倍！三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000：主頻1.6GHz

  • 7月3日消息，三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個(gè)Cortex-A78大核心和4個(gè)Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達(dá)到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實(shí)現(xiàn)了3.4倍的提升，在多核性能上更是達(dá)到了3.
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬(wàn)億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無(wú)根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道，認(rèn)為這則傳聞“毫無(wú)根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個(gè)批次（lots）被報(bào)廢，按照 12 英寸晶圓計(jì)算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無(wú)根據(jù)”，仍在評(píng)估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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Intel 3 “3nm 級(jí)”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

  • 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級(jí)工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對(duì)的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺(tái)積電達(dá)成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

  • 此前有報(bào)道稱，明年谷歌可能會(huì)改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺(tái)積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進(jìn)行過(guò)渡，谷歌將擴(kuò)大在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫(kù)信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺(tái)積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗(yàn)證。據(jù)Wccftech報(bào)道，谷歌與臺(tái)積電已達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計(jì)有20%至30%的提升。然而，低良品率的問(wèn)題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺(tái)，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對(duì)Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測(cè)試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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“Intel 3”3nm制程技術(shù)已開始量產(chǎn)

  • 據(jù)外媒報(bào)道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術(shù)已在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭工廠開始大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應(yīng)用電壓。該節(jié)點(diǎn)既針對(duì)英特爾自己的產(chǎn)品，也針對(duì)代工客戶，將在未來(lái)幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，這些應(yīng)用需要通過(guò)改進(jìn)的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化來(lái)實(shí)現(xiàn)尖端性能。生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)支持<0.6V低壓以及&g
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臺(tái)積電產(chǎn)能供不應(yīng)求，將針對(duì)先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝漲價(jià)

  • 6月17日，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，在產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況下，臺(tái)積電將針對(duì)3nm/5nm先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝執(zhí)行價(jià)格調(diào)漲。其中，3nm代工報(bào)價(jià)漲幅或在5%以上，而2025年度先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)也將上漲10~20%。
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