WJ推出28 V InGaP HBT功率放大器技術(shù)

WJ通訊公司（納斯達(dá)克股票交易所代號：WJCI）是從事射頻（RF）解決辦法的領(lǐng)先設(shè)計公司和供應(yīng)商，它的產(chǎn)品用于無線設(shè)施（wireless infrastructure）和射頻識別（RFID）讀出技術(shù)，今日宣布研制成功令人振奮的28 V InGaP HBT技術(shù)，用于移動基本設(shè)施的功率放大器。與市場上現(xiàn)有的其他技術(shù)比較，這項技術(shù)在功率輸出和效率方面具有顯著的優(yōu)點。這種28 V工藝是在WJ通訊公司現(xiàn)有的5 V InGaP HBT工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，已經(jīng)通過實踐證明它是可靠性很高的工藝，適合移動基礎(chǔ)設(shè)備使用。使用這種新的28 V工藝制造的幾種新產(chǎn)品正在研制之中，將在2006年第三季度推出。

“對于研究成功這項新的28V InGaP HBT工藝，我們感到十分振奮。這項技術(shù)顯著地提高了鄰近頻道功率比/鄰近頻道泄漏比（ACPR/ACLR）性能，而效率與市場上目前的LDMOS產(chǎn)品相當(dāng)或者更高。”WJ通訊公司負(fù)責(zé)工程技術(shù)的副總裁Morteza Saidi說道?！坝眠@項技術(shù)制造的器件可以作為B類放大器使用，由于獨特的電路設(shè)計（已經(jīng)申請專利權(quán)），它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我們初步計劃推出幾種1 dB壓縮點（P1dB）功率為10 W的產(chǎn)品，這項技術(shù)也適合于制造功率更大的產(chǎn)品?！?nbsp;   

工藝簡介
+28 V InGaP HBT工藝是先進(jìn)的技術(shù)，它的擊穿電壓極高，能夠用于很大的功率。我們已經(jīng)在半導(dǎo)體結(jié)溫為315 ℃的情況下進(jìn)行了4000小時的壽命試驗，而且它的β降級極少。我們已經(jīng)證明這項工藝在輸入過載6 dB時，仍然不會損壞。

封裝的開發(fā)
WJ通訊公司還研制了一種可以進(jìn)行表面貼裝的功率QFN封裝，用于這些InGaP HBT產(chǎn)品，它是使用低熔點貼片技術(shù)把芯片貼上去，大量地降低了熱阻，保證它能夠可靠地工作。