基于TSC控制技術(shù)的可控硅開(kāi)關(guān)分析
作者：
時(shí)間：2013-08-10
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
在確定了可控硅的型號(hào)后，在電路中串聯(lián)不同大小的電抗，觀察消弧線(xiàn)圈投切電容器時(shí)整個(gè)電路的電壓波形。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/159291.htm
經(jīng)實(shí)驗(yàn)比較后發(fā)現(xiàn)，當(dāng)串聯(lián)電抗器的感抗值占同組電容器的容抗值約6％時(shí)電壓波形效果較好，感抗過(guò)大或過(guò)小得到的電壓波形效果較差。
另外，串聯(lián)電阻可解決投切電容器時(shí)電壓波形的畸變問(wèn)題，但在實(shí)際應(yīng)用中電阻存在較大的發(fā)熱和功率損耗問(wèn)題，故串聯(lián)電阻方案不可行。
由本實(shí)驗(yàn)可總結(jié)出，空心電感的存在能有效解決問(wèn)題，因?yàn)殡姼芯哂幸种齐娏魍蛔兊奶攸c(diǎn)，實(shí)驗(yàn)也證實(shí)了這一點(diǎn)。
評(píng)論