如何控制驅(qū)動VR

　　或門輸出被鎖存、倒相并送至開啟延遲計數(shù)器的UP/DOWN輸入端，該信號告訴計數(shù)器向上記數(shù)或向下記數(shù)。如果或門輸出為高電平，則記數(shù)器向下記數(shù)，減少延遲時間。而或門為低電平輸出時，計數(shù)器向上記數(shù)，則增加延遲時間。計數(shù)器并有效地保持該延遲信息給下一個工作周期。反饋環(huán)會調(diào)節(jié)開啟延遲使之縮短，直到或門沒有更長的輸出脈沖，當(dāng)計數(shù)器工作在恒定負(fù)載和線路電壓時，對下一個周期的開啟延遲將稍微有些加長，或門將給出高輸出脈沖，延遲將會縮短，在這種方式中，電路會在兩個延遲時間之間抖動，一個長一些，另一個就會接近最佳狀態(tài)。

　　關(guān)斷控制器工作在與開啟控制器非常相似的管理方式。不同之處在于電壓檢測電路及計數(shù)器的記數(shù)方向。當(dāng)體二極管導(dǎo)通時，用一高速比較器檢測。為了更加精確，一個比較器用于檢測體二極管導(dǎo)通，去替代或門，在開啟的期間，電流正從整流MOSFET向回流MOSFET換向，電流的DI/DT非常高，VR的源漏電壓上通?？煽吹狡湔疴?。如果用一個比較器檢測體二極管在VR導(dǎo)通期間的體二極管狀態(tài)，由于源漏電壓的振鈴，可能會出現(xiàn)誤觸發(fā)。在VR關(guān)斷期間，通過VR MOSFET器件的電流是恒定的。該電流或者通過其通道或者通過其體二極管。在關(guān)斷時，僅有非常小的振鈴，比較器用來改善精度，比較器的閾值必須比先前的MOSFET通道導(dǎo)通時的誤觸發(fā)值更負(fù)向一點。

　　在通道導(dǎo)通期間，源漏電壓大約等于I LOAD*.RDS(ON)，并規(guī)定了噪聲。比較器閾值設(shè)置在大約-300mV。比較器比較VR的源漏電壓與此設(shè)置閾值，從比較器出來的高電平指示給控制器，系體二極管在導(dǎo)通，延遲時間需要增加，這與開啟局面精確對應(yīng)。因為關(guān)斷延遲記數(shù)設(shè)置在起始時全部為0。圖4(a)和(b)示出VR關(guān)斷波形及比較器的輸出。

　　圖4 VR的關(guān)斷波形

　　(a)非最佳延遲( b)最佳延遲

　　圖4(a)示出當(dāng)延遲設(shè)置太短時電路的工作狀態(tài)。圖4(b)示出最佳延遲狀態(tài)。由于在VR導(dǎo)通中，關(guān)斷延遲在某一值處處于抖動狀態(tài)，這就是太長以及最佳值的兩個狀態(tài)。

　　問題出現(xiàn)：開啟延遲及關(guān)斷延遲可否設(shè)置的短些，這是否會造成交叉導(dǎo)通，問題在于仔細(xì)地研究比較器的特性，及延遲線的每個元件的延遲，比較器僅能響應(yīng)差分輸入電壓，此電壓僅在轉(zhuǎn)換間隔結(jié)點上有足夠的時間總量才會存在。假定比較器可以檢測出體二極管導(dǎo)通用5ns時間。在下一個周期內(nèi)，延遲即可調(diào)節(jié)，用延遲線上一位數(shù)碼去減少體二極管的導(dǎo)通。當(dāng)然，比較器也不會去響應(yīng)下一個周期體二極管的導(dǎo)通，因為它在延遲線的每個元件上大約減少5ns的延遲時間。關(guān)鍵防止交叉導(dǎo)通的措施是設(shè)置的每個元件的延遲要比比較器可檢測的最小脈寬要少。

　　B、 控制驅(qū)動QF的執(zhí)行

　　正向整流的QF的控制和回流元件VR很不一樣。一個主要的區(qū)別是：其目標(biāo)是在變壓器復(fù)位后即將QF開啟，它獨立于PWM控制信號的上升沿和下降沿，它不同于回流的MOSFET。此處，目標(biāo)只不過是調(diào)節(jié)PWM控制器信號的上升沿及下降沿的時間，以減少VR體二極管的導(dǎo)通時間，并使之最小化。

　　了解該目標(biāo)是在變壓器復(fù)位后要將QF導(dǎo)通，一個好的起始點就是圖5所示出的使QF導(dǎo)通所需的電路。

　　圖5 VR的控制電路