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分析MEMS壓力傳感器的原理設(shè)計(jì)與應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2012-03-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

目前的有硅壓阻式和硅電容式壓力傳感器,兩者都是在硅片上生成的微機(jī)械電子傳感器。

硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測(cè)量電路的,具有較高的測(cè)量精度、較低的功耗和極低的成本。硅壓阻式壓力傳感器其應(yīng)變片電橋的光刻版本如圖2。

硅壓阻式壓力傳感器采用周邊固定的圓形應(yīng)力杯硅薄膜內(nèi)壁,采用MEMS技術(shù)直接將四個(gè)高精密半導(dǎo)體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力最大處,組成惠斯頓測(cè)量電橋,作為力電變換測(cè)量電路,將壓力這個(gè)物理量直接變換成電量,其測(cè)量精度能達(dá)0.01-0.03%FS。應(yīng)力硅薄膜與真空腔接觸這一面經(jīng)光刻生成如圖2的電阻應(yīng)變片電橋電路。當(dāng)外面的壓力經(jīng)引壓腔進(jìn)入傳感器應(yīng)力杯中,應(yīng)力硅薄膜會(huì)因受外力作用而微微向上鼓起,發(fā)生彈性變形,四個(gè)電阻應(yīng)變片因此而發(fā)生電阻變化,破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡,電橋輸出與壓力成正比的電壓信號(hào)。圖4是封裝如集成電路的硅壓阻式壓力傳感器實(shí)物照片。

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圖4 硅壓阻式壓力傳感器實(shí)物

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圖6 電容式壓力傳感器實(shí)物

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圖5 電容式壓力傳感器結(jié)構(gòu)

電容式壓力傳感器利用MEMS技術(shù)在硅片上制造出橫隔柵狀,上下二根橫隔柵成為一組電容式壓力傳感器,上橫隔柵受壓力作用向下位移,改變了上下二根橫隔柵的間距,也就改變了板間電容量的大小,即△壓力=△電容量(圖5)。電容式壓力傳感器實(shí)物如圖6。

MEMS壓力傳感器的

MEMS壓力傳感器廣泛于汽車(chē)電子如TPMS、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車(chē)剎車(chē)系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(TMAP)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器。消費(fèi)電子如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥用秤、健康秤,洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器,空調(diào)壓力傳感器,洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽(yáng)能熱水器用液位控制壓力傳感器。工業(yè)電子如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱(chēng)重等。

典型的MEMS壓力傳感器管芯(die)結(jié)構(gòu)和電如圖7所示,左是電圖,即由電阻應(yīng)變片組成的惠斯頓電橋,右為管芯內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。典型的MEMS壓力傳感器管芯可以用來(lái)生產(chǎn)各種壓力傳感器產(chǎn)品,如圖8所示。MEMS壓力傳感器管芯可以與儀表放大器和ADC管芯封裝在一個(gè)封裝內(nèi)(MCM),使產(chǎn)品師很容易使用這個(gè)高度集成的產(chǎn)品最終產(chǎn)品。

MEMS壓力傳感器的、生產(chǎn)、銷(xiāo)售鏈

MEMS壓力傳感器的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售鏈如圖9所示。目前集成電路的4寸圓晶片生產(chǎn)線(xiàn)的大多數(shù)工藝可為MEMS生產(chǎn)所用。但是需要增加雙面光刻機(jī)、濕法腐蝕臺(tái)和鍵合機(jī)三項(xiàng)MEMS特有的工藝設(shè)備。壓力傳感器產(chǎn)品生產(chǎn)廠(chǎng)商需要增加價(jià)格不菲的標(biāo)準(zhǔn)壓力檢測(cè)設(shè)備。

對(duì)于MEMS壓力傳感器生產(chǎn)廠(chǎng)家來(lái)說(shuō),開(kāi)拓汽車(chē)電子以及消費(fèi)電子領(lǐng)域的銷(xiāo)售經(jīng)驗(yàn)和渠道是十分重要和急需的。特別是汽車(chē)電子對(duì)MEMS壓力傳感器的需要量在近幾年激增,如捷伸電子的年需求量約為200-300萬(wàn)個(gè)。

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