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手持移動設(shè)備的觸摸傳感技術(shù)簡介

作者: 時間:2011-12-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

智能手機(jī)等新型消費(fèi)電子產(chǎn)品使得屏開始風(fēng)靡,器提供方便的控制方式,幾乎可用于控制任何類型的。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/161362.htm


控制器目前提供一些通用的性能選項(xiàng)和形態(tài),如滑塊和鄰近器。觸摸傳感器的進(jìn)步使傳感器驅(qū)動型接口更易于實(shí)現(xiàn),對終端用戶更為直觀和簡單。


大多數(shù)觸摸傳感控制器依據(jù)所檢測到的電容變化來工作(見圖1)——當(dāng)某種物體或某個人接近或觸摸傳感器的導(dǎo)電金屬片時,手指與金屬片之間的電容發(fā)生變化。導(dǎo)電物體(如手指)在傳感器附近將改變電容傳感器的電場線并使電容發(fā)生變化??刂齐娐房蓽y出電容的變化。


工業(yè)應(yīng)用系統(tǒng)從多年前開始就使用這種電容檢測來測量液位、濕度和材料成份。這種從這些應(yīng)用發(fā)展而來的逐漸演化成人機(jī)接口。


觸摸傳感器接口通常通過測量與傳感器墊片相連的電路的阻抗來檢測電容變化。觸摸控制器周期性地測量傳感器輸入通道的阻抗并用這些值來導(dǎo)出一個內(nèi)部基準(zhǔn),即校準(zhǔn)阻抗??刂破饕赃@個阻抗值為基礎(chǔ)判定是否發(fā)生了觸摸事件。


下面的簡化公式表明了手指逼近對觸摸墊片電容產(chǎn)生的主要影響。這個公式可用于確定傳感器墊片的電容和強(qiáng)度。

* C表示電容,單位為法拉

* A是單個金屬墊片的面積,單位為平方米

* εr是金屬墊片間材料的相對靜態(tài)介電常數(shù)(真空=1)

* ε0是自由空間的介電常數(shù)=8.854×10(SUP/)-12(/SUP)F/m

* D是板之間的距離或間隔,單位為米。


另外,觸摸強(qiáng)度隨壓力、觸摸面積或電容的增加而增大。D減小等價(jià)于電容增大或觸摸強(qiáng)度增大。


這個方程表明,覆膜厚度及其介電常數(shù)對觸摸強(qiáng)度影響很大。該方程還表明,電容傳感器本質(zhì)上對周圍環(huán)境和觸摸激勵的特性敏感——不管觸摸來自手指、乙烯基、橡膠、棉花、皮革或水(見圖1)。

圖1:觸摸靈敏度依賴于覆膜材料、墊片尺寸和厚度。

圖1:觸摸靈敏度依賴于覆膜材料、墊片尺寸和厚度。

表1列出了各種常用覆膜材料的介電常數(shù)。我們可以基于這些值來考察觸摸傳感器在廚房中的應(yīng)用,因?yàn)樵趶N房中這些傳感器很容易濺上食用油。

表1:介電常數(shù)。

表1:介電常數(shù)。

典型的食用油如橄欖油或杏仁油的介電常數(shù)在2.8-3.0之間。石蠟在華氏68度時的介電常數(shù)在2.2-4.7之間。這些材料的介電常數(shù)接近甚至小于傳感器常用覆膜聚碳酸脂(2.9-3.2)或ABS材料(2.87-3.0)的介電常數(shù)。因而,油對傳感器的操作沒有多大影響。


相反,甘油的介電常數(shù)在47-68之間,水的介電常數(shù)約為80。盡管這些材料的介電常數(shù)比覆膜材料高,對于使用數(shù)字觸摸檢測技術(shù)(如ATLab公司開發(fā)并擁有產(chǎn)權(quán)的FMA1127觸摸傳感器控制器所使用的技術(shù))的觸摸傳感器來說,由于傳感器墊片和濺上的液體都沒有接地,濺上這些液體不會引起任何異常行為。


盡管觸摸傳感器的操作細(xì)節(jié)和接口依賴于具體的應(yīng)用,一般來說,容性傳感器接口電路和檢測方法有模擬和數(shù)字兩種類型。一種模擬技術(shù)是測量頻率或工作周期,這些量因?yàn)樵谑种负偷刂g引入額外的電容而發(fā)生變化(見圖2)。

圖2: 模擬觸摸方案;由于需使用參考地,可能會受到水滴的影響。

圖2: 模擬觸摸方案;由于需使用參考地,可能會受到水滴的影響。


利用這種技術(shù)和高分辨率的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),可以把測到的模擬電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字代碼。得益于混合信號技術(shù)的進(jìn)步,最新款的電容/數(shù)字轉(zhuǎn)換器把高性能模擬前端與低功率高性能ADC集成在一起。


模擬接口電路的一個缺點(diǎn)是容性傳感器可能會受到難以捉摸的噪聲、串?dāng)_、耦合的影響。另外,傳感器輸出的動態(tài)范圍受到電源電壓的限制,而隨著半導(dǎo)體制造技工藝節(jié)點(diǎn)的縮小該電源電壓在不斷降低。


如果使用深亞微米CMOS技術(shù)把傳感器電路與復(fù)雜的數(shù)字信號處理模塊集成到相同的基底上,情況會變得更具挑戰(zhàn)性。為避免外部干擾,該器件可能會要求使用軟件工作區(qū),這增加了與之接口的微控制器的存儲器開銷和性能開銷。


全數(shù)字傳感方法(見圖3)可避免與模擬方法有關(guān)的問題。數(shù)字方法通過使電容成為RC延時線的一部分來檢測傳感器電容的變化。

圖3:數(shù)字觸摸方案;在存在水滴時仍具有魯棒的性能。


圖3:數(shù)字觸摸方案;在存在水滴時仍具有魯棒的性能。


圖3中簡單的全數(shù)字型時間/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)測量該延時線相對于基準(zhǔn)RC延時線的差并輸出阻抗的變化。寄生電容對RC延時的影響可通過加電補(bǔ)償來消除。


手指碰到傳感器墊片使電容增大進(jìn)而提高了RC延時時間并導(dǎo)致阻抗變化。把這個阻抗與校準(zhǔn)阻抗對比可確定是否發(fā)生了觸摸事件。該傳感方案很容易通過調(diào)整RC延時線的電阻來改善性能。


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