基于超薄外延技術的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計
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2 器件的仿真優(yōu)化設計
設計中應用MEDICI、Tsuprem4軟件對器件進行優(yōu)化。在符合4．5μm薄外延的工藝條件下，為改善器件表面電場，使器件最高耐壓大于700V的設計要求，對P-top注入劑量與結構尺寸進行了仿真優(yōu)化設計。同時，分析了漂移區(qū)濃度對擊穿電壓和導通電阻的影響，通過仿真得出最佳濃度分布范圍。
2．1 P-top注入劑量與結構尺寸的仿真優(yōu)化
由于在縱向P-top降場層的結深都很淺，所以其濃度變化可以忽略不計。在這里主要分析P-top降場層沿x方向的一維模型，多環(huán)注入時雜質濃度分布為R(x，t)，Cfo(x，t)和Cfi(x，t)分別是當推結時間(T)后的第一個環(huán)和第i個環(huán)的雜質濃度分布，其公式為：
通過公式可以調節(jié)在版圖中P-top環(huán)的窗口尺寸和間距的大小，實現(xiàn)P-top降場層的線性變摻雜?？紤]工藝制作水平和誤差等因素，為避免出現(xiàn)工藝失真，窗口的尺寸和間距不易太小，但如果窗口的間距太大，就不易實現(xiàn)降場層的線性變摻雜，因此需選取合適的窗口尺寸和間距。經(jīng)過仿真設計與實際測試，得到兩組具體的窗口尺寸，見表1。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/166181.htm
對P-top降場層的注入劑量和窗口尺寸進行優(yōu)化設計，其模擬結果如圖4所示，由圖可見窗口尺寸較小時(A結構)更近似為線性變摻雜，其濃度在2．2E13cm-3～3E13cm-3范圍內都滿足器件擊穿電壓大于700V，而窗口尺寸較大的B結構注入劑量只在2．3E13cm-3～2．8E13cm-3范圍內才滿足器件擊穿電壓大于700V，顯然其變化范圍較小，提高了工藝的復雜程度，所以這里選取A結構中最優(yōu)值2．5E13cm-3進行工藝設計。
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