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數(shù)字視頻監(jiān)控單元的設(shè)計

作者: 時間:2011-03-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1.1 采集輸入設(shè)計
攝像頭將采集到的模擬信號傳輸給TVP5158解碼器。該TVP5158器件是一個4通道、高品質(zhì)NTSC/PAL視頻解碼器,它用數(shù)字化編碼所有基帶模擬視頻格式,使其變?yōu)閿?shù)字視頻信號輸出。該編碼器的每個通道都包含10位27 MSPS的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器。TVP5158支持NTSC(J,M,4.43)和PAL(B,D,G,H,I,M,N,Nc,60)標(biāo)準(zhǔn)視頻同時輸入。每個視頻解碼通道均支持復(fù)合信號輸入。TVP5158輸出端口支持8位的ITU-R BT,656和16位4:2:2 YUV格式。TVP5158視頻解碼器再將解碼信號傳輸給DM365的視頻處理前端(VPFE)。TVP5158高度靈活的視頻輸出與DM3 65的無縫接口可取消對外部FPGA的需求。TVP5158與DM365的接口框圖如圖2所示。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/166217.htm

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TVP5158輸出8位的ITU-RBT.656和16位4:2:2 YUV格式視頻。DM365支持ITU-BT.601/BT.656/BT.1120數(shù)字YCbCr 4:2:2(8 b/16 b)格式視頻,所以本系統(tǒng)中DM365采用YCbCr 4:2:2的8位ITU-R BT.656視頻捕獲模式,該系統(tǒng)不需要外部行/場同步信號。TVP5158的DVO引腳與DM365的YIN引腳相連,以用來傳輸數(shù)據(jù)。
1.2 外部存儲器設(shè)計
在該單元中,選用的外部存儲器為一個DDR2SDRAM芯片和一個NAND FLASH芯片。在該單元中,采用華邦電子公司的1 GB DDR2 SDRAM作為主存儲器,型號為W971GG6IB。DM365與W971GG6IB的接口框圖如圖3所示。

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CLK和是時鐘信號引腳,芯片時鐘通過這兩個引腳輸入。為行地址鎖存,為列地址鎖存,為寫使能,這三個引腳可對輸入命令進(jìn)行規(guī)定。當(dāng)片選為高電平時,所有的外部命令都被禁止;還可提供外部組選擇。A0~A12為地址總線,芯片中行地址為A0~A12,列地址為A0~A9,其中的A10是自動預(yù)充電標(biāo)志。因為該單元選用一個1 GB的DDR2SDRAM,所以選擇BA0和BA1兩個引腳對片內(nèi)8個組進(jìn)行選擇。DQ0~DQ15為雙向數(shù)據(jù)總線引腳,可支持16位寬度的數(shù)據(jù)傳輸。當(dāng)DDR-DQS進(jìn)行寫操作時,數(shù)據(jù)輸出到芯片中;當(dāng)DDR-DQS進(jìn)行讀操作時,芯片的數(shù)據(jù)輸入到DM365中。DDR-DQS1用于DDR-DQ[15:8],DDR-DQS0用于DDR-DQ[7:0]。LDQS與DDR-DQS0相連,LDQS與DQ0~DQ7上的數(shù)據(jù)相對應(yīng);UDQS與DDR-DQS1相連,UDQS與DQ8~DQ15上的數(shù)據(jù)相對應(yīng)。LDQS和UDQS分別為低位和高位數(shù)據(jù)選通,只有在不同數(shù)據(jù)選通模式通過EMR的控制位被使能時才被使用。
單元中選用的NAND FLASH為三星公司的K9F2808UOC,它為一個132 MB的閃存,其中的內(nèi)存容量分為16M×8 b容量和4 MB的備用容量。該存儲器陣列包含1 024個獨立可擦除塊,每個數(shù)據(jù)塊包含16KB。K9F2808U0C的8個I/O引腳是地址復(fù)用的,這樣可減少引腳數(shù),并方便系統(tǒng)升級,閃存為3.3 V。DM365與K9F2808U0C的接口框圖如圖4所示。

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圖4中I/O0~I(xiàn)/O7為數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳,與EM-D[O:7]引腳相連,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸。I/O引腳用于輸入命令、地址和數(shù)據(jù),還用于在讀操作時輸出數(shù)據(jù)。引腳與EM-CE0引腳相連,實現(xiàn)片選功能。引腳與EM-OE引腳相連,對串行數(shù)據(jù)輸出進(jìn)行控制。引腳與EM-WE引腳相連,控制了對I/O端口的寫操作。命令、地址和數(shù)據(jù)被鎖在脈沖的上升沿。為輸出引腳,與EM-WAIT引腳相連,它表明了設(shè)備操作的狀態(tài),當(dāng)?shù)碗娖綍r,它表明一個程序、擦除或隨機(jī)讀操作正在進(jìn)程中,并在結(jié)束后返回到高電平狀態(tài)。



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