可用于音頻功放的過溫保護(hù)電路設(shè)計(jì)
2 實(shí)際電路設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)的過熱保護(hù)電路大體上分為3個(gè)部分,如圖3所示。本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/166849.htm
啟動電路:啟動電路只有在剛上電的時(shí)候才會工作,當(dāng)電源電壓從0 V慢慢升高,同時(shí)輸入信號Shut為低電平時(shí),開關(guān)管M37就會被打開,MOS管M38也會導(dǎo)通,這樣就會使得在M38這條支路上的電壓慢慢升高。以二極管形式連接的M40的柵端也會隨之升高,也為右端的M45,M43,M42提供柵極電壓,從而破壞了基準(zhǔn)電路的平衡,使之能夠啟動起來。當(dāng)M40的柵極電壓上升到M44的閾值電壓時(shí),就會將其導(dǎo)通,使得產(chǎn)生了一個(gè)有電源到地的通路,這樣也就完成了啟動電路的功能。
偏著電路:此部分電路的工作原理與產(chǎn)生PTAT電流電路的原理基本相同,輸出端的電壓為其它電路提供偏置。M36、M45、Q4組成的支路將在右端支路的電流取出,經(jīng)過濾波、放大后又鏡像回去,在M34、M42、Q1的支路上輸出一個(gè)偏置電壓信號。由于電流鏡的工作原理,所以要求M34~M36和M42~M45均為相同的對管。另外,此電路中M33作為關(guān)斷管,當(dāng)Shut信號為高電平時(shí),M33就會處于導(dǎo)通狀態(tài),這樣這屆就會將M34、M35關(guān)斷,使得整個(gè)電路關(guān)斷。
熱敏關(guān)斷保護(hù)電路:由于基準(zhǔn)電路輸出的偏置電壓加到M39、M51、M52柵極上,所以在這兩條支路上都會產(chǎn)生PTAT電流。采用M41、M47、M48、M49、M50構(gòu)成的兩級比較器來實(shí)現(xiàn)原理等效圖中Comp的功能。此比較器的第一級為PMOS差動輸入。
用PMOS做差動輸人的作用:(1)降低了輸入的噪聲。正常情況下,溫度不可能有很劇烈的變化,因此溫度波動的頻率不可能很高,所以閃爍噪聲1/f將成為噪聲的主要成分。由于PMOS輸入可降低噪聲對電路的影響;(2)PMOS輸入使共模輸入范圍的下限降低。此電路比較器要比較是接近于PN結(jié)VBE的電壓,用PMOS構(gòu)成的輸入端可更好的滿足這種低共模輸入電壓的要求。比較器的第二級為共源放大器,作為比較器的第二級,其主要作用增大了輸出擺幅、提高了增益和輸入的分辨率,加快了高低電平的轉(zhuǎn)換速率。電路中電容C0的作用:電容C0可以抑制一些干擾量在比較器通向輸入端電阻風(fēng)上產(chǎn)生的電壓波動,以防止系統(tǒng)被擾動引起的誤動作。
3 仿真測試
按照以上設(shè)計(jì)的電路。用Cadence Specture對其進(jìn)行仿真,器件的模型參數(shù)采用0.35μm CMOS工藝。圖2為過溫保護(hù)電路的輸出控制信號TSD,隨溫度上升和下降的曲線。電源電壓取3.3 V。從仿真結(jié)果可以看出,該電路實(shí)現(xiàn)了良好的“溫度遲滯”特性。遲滯功能有效的避免了芯片出現(xiàn)熱振蕩問題。關(guān)斷溫度TH160°和恢復(fù)溫度TL140°。
4 結(jié)束語
文中設(shè)計(jì)的過熱保護(hù)電路,利用PTAT電流來檢測溫度的變化,并轉(zhuǎn)換成電壓信號輸入兩級比較器進(jìn)行比較,從而產(chǎn)生過熱保護(hù)信號。比較器的遲滯效應(yīng)能有效防止熱振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。該電路對溫度感應(yīng)靈敏度高,非常適合集成在集成電路芯片中。
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