便攜式電子產(chǎn)品的電路保護(hù)
2、過(guò)壓保護(hù)
過(guò)壓保護(hù)元器件并聯(lián)在被保護(hù)的電路上(見(jiàn)圖4)。在輸入電壓未過(guò)壓時(shí),過(guò)壓保護(hù)元器件呈高阻態(tài),其泄漏電流甚微;一旦輸入電壓過(guò)壓時(shí),過(guò)壓保護(hù)元器件在瞬間提供低阻抗通路,并將電壓鉗位于安全的低電壓,從而保護(hù)電路免受過(guò)壓損害。當(dāng)輸入電壓降落到正常工作電壓時(shí),過(guò)壓保護(hù)元器件會(huì)自動(dòng)恢復(fù)到高阻態(tài)。泰科電子公司的多層壓敏電阻(MLV)及ESD保護(hù)元件PESD就是常用的過(guò)壓保護(hù)元件。
圖4 過(guò)壓保護(hù)元件工作電路
3、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)
過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)器件是過(guò)流保護(hù)元件與過(guò)壓保護(hù)元件組成的模塊(集成電路),如圖5所示。它能在輸入電壓過(guò)壓或由于短路造成過(guò)流故障時(shí),保護(hù)電路不受損害。
圖5 過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)器件工作電路
泰科電子公司的PolyZenTM元件就是常用的過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)器件。
便攜式產(chǎn)品的保護(hù)元器件的特點(diǎn)
為滿(mǎn)足便攜式電子產(chǎn)品對(duì)保護(hù)元器件的要求,保護(hù)元器件應(yīng)具有下述特點(diǎn)。
1、性能
● 響應(yīng)時(shí)間要短;
● 自身的功耗要小,可延長(zhǎng)電池壽命;
● 性能穩(wěn)定,并且壽命長(zhǎng);
● 不影響被保護(hù)電路的性能;
● 滿(mǎn)足對(duì)環(huán)境的要求(無(wú)鉛,符合RoHs規(guī)范)。
2、封裝及尺寸
● 貼片式(SMD)封裝,滿(mǎn)足SMT要求;
● 封裝尺寸?。ㄕ糚CB面積?。┘捌拭娓叨刃?。
3、其他
● 可以采用回流焊焊接工藝;
● 價(jià)格低,降低產(chǎn)品成本。
PolySwitchTM元件及其應(yīng)用電路
PolySwitchTM元件是一種自復(fù)式聚合物非線(xiàn)性正溫度系數(shù)(PPTC)熱敏電阻。泰科電子公司在1995年就開(kāi)發(fā)了貼片式 miniSMDTM過(guò)流保護(hù)元件,近年來(lái)又開(kāi)發(fā)出microSMDTM、nanoSMDTM及picoSMDTM等尺寸更小的系列。另外,在miniSMDTM系列中增加了24V、60V的新品種及在microSMDTM系列中增加了2.0A的品種。
PolySwitchTM元件的主要參數(shù):在未過(guò)流時(shí),其電阻值很?。ú煌念~定電壓下阻值不同,一般為零點(diǎn)幾Ω到幾Ω);在過(guò)流發(fā)生時(shí),其電阻值可達(dá)mΩ,電流極小接近“斷開(kāi)”,且斷開(kāi)時(shí)間(time-to-trip)更短。
該元件的封裝尺寸??;電流為0.05~3A;電壓為6~60V;常態(tài)時(shí)阻值?。煌ㄟ^(guò)UL、CSA及TV論證。
該元件應(yīng)用范圍極廣,主要為計(jì)算機(jī)、便攜式電子產(chǎn)品、多媒體、游戲機(jī)、移動(dòng)電話(huà),同時(shí)也適用于汽車(chē)、工業(yè)控制及電池等。
圖6 用PolySwitchTM元件實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)
PolySwitchTM元件在便攜式電子產(chǎn)品適配器(外接電源)中的過(guò)流保護(hù)如圖6所示。圖中結(jié)構(gòu)用了兩個(gè)PolySwitchTM器件,可防止短路時(shí)損壞適配器。
圖7 用PolySwitchTM元件對(duì)充電器進(jìn)行保護(hù)
充電器是便攜式電子產(chǎn)品中是必要的附件,圖7是充電器中PolySwitchTM元件的應(yīng)用。圖7中的虛線(xiàn)框內(nèi)是電池組,PolySwitchTM元件在其中作充、放電過(guò)流保護(hù)。
MLV、PESD及其應(yīng)用電路
MLV、PESD都是過(guò)壓保護(hù)元器,它們除用過(guò)壓保護(hù)外,也是靜電放電(ESD)保護(hù)元件。在插拔便攜式產(chǎn)品的各種插頭時(shí),各端口很容易受到靜電放電的損壞,因此插拔端口都需要加ESD保護(hù)元器件。
在傳輸信號(hào)的端口上增加ESD保護(hù)元器可以防止靜電放電的損害,但由于ESD保護(hù)元器自身有一定的電容,在高速信號(hào)傳輸過(guò)程中,會(huì)造成信號(hào)的衰減及失真。所以,高速數(shù)據(jù)傳輸端口的ESD保護(hù)元器件的正確選擇十分重要。
MLV的電容量較大(40~220pF),主要用于直流及數(shù)據(jù)傳輸率較低的端口。但MLV中的“E”系列,其電容量較小,僅3~12pF,可以適用于較高的數(shù)據(jù)傳輸速率的端口作ESD保護(hù)。
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