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NMOS和PMOS詳解

  • 一、簡(jiǎn)介MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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除了二極管,防反接電路還能用什么?

  • 二極管串聯(lián)以常用的5V/2A為例。常用二極管串聯(lián)在電路中,在電源反接時(shí),二極管承擔(dān)所有的電壓,有效防止電源反接損壞后級(jí)設(shè)備。但是,二極管上壓降較大,損耗較高。使用肖特基二極管可以減小損耗,但是仍對(duì)電路有較大影響,特別是在電源電壓更低的情況下。反并二極管+保險(xiǎn)絲使用反并二極管+保險(xiǎn)絲,正常運(yùn)行時(shí)基本沒(méi)有損耗。在電源反接時(shí),電源側(cè)接近短路,保險(xiǎn)絲熔斷,從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)。反接發(fā)生后,二極管和保險(xiǎn)絲一般都需要更換。并且,輸入反接時(shí)產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓,后級(jí)設(shè)備還是有可能損壞。PMOS防反接電路基本電路基本的PMOS防反接電路
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設(shè)計(jì)超低功耗的嵌入式應(yīng)用:簡(jiǎn)化電源域

  •   不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見(jiàn)本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡(jiǎn)單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng),設(shè)計(jì)復(fù)雜性進(jìn)一步提高。    ?   圖3:手表的高層次方框圖   一個(gè)符合邏輯的辦法是將整個(gè)系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng),并分析各個(gè)子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡(jiǎn)化電源域的設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)低功耗功能。   顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動(dòng)和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計(jì)都針對(duì)顯示屏采用基于定時(shí)器的超時(shí)斷電模式。一般說(shuō)來(lái),在固定時(shí)間T1后,背光會(huì)降
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

  • 前面我說(shuō)過(guò),要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇,以及各自的利弊吧。
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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

  • 上一帖我們說(shuō)到了IC的性能取決于R與C的乘積。看到留言后我發(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個(gè)遺漏的事實(shí):當(dāng)器件的尺寸變得越來(lái)越小,連線在IC中越來(lái)越成為一個(gè)瓶頸。這是由于一個(gè)非常簡(jiǎn)單的原因:連線相對(duì)于器件的尺寸來(lái)說(shuō)越來(lái)越長(zhǎng)了。
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用PMOS塊制作的電子打擊樂(lè)器電路及原理

  • 這里介紹一種用PMOS集成電路構(gòu)成的電子打擊樂(lè)器。它可以產(chǎn)生板、鼓、叉等八種打擊樂(lè)的音響效果。如與時(shí)序脈沖電路配合,可以組成電子琴中的自動(dòng)打擊樂(lè)伴奏電路。由于采用了集成電路,結(jié)標(biāo)簡(jiǎn)單,使用元件少,用6伏電源
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手機(jī)充電電路主流方案解析

  • 雖然目前市面上的手機(jī)品牌眾多,但其充電回路大致相同,都采用基于PMOS的充電電路。使用PMOS時(shí)易于以較低電...
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路設(shè)計(jì)

  • 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖

  • 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
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集成PMOS管變?nèi)萏匦苑治雠c仿真建模

  • 摘要:為適應(yīng)PMOS變?nèi)莨茉诩呻娐吩O(shè)計(jì)中的晶體管級(jí)仿真,在分析MOS變?nèi)莨芴匦缘幕A(chǔ)上,通過(guò)確定關(guān)鍵點(diǎn)、以曲線擬合的方法建立與工藝參數(shù)相關(guān)的PMOS集成變?nèi)莨芨哳l特性模型。選用Charted 0.35mu;m這個(gè)特定的工藝庫(kù)
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手機(jī)充電管理設(shè)計(jì)要點(diǎn)及主流方案解析

  • 雖然目前市面上的手機(jī)品牌眾多,但其充電回路大致相同,都采用基于PMOS的充電電路。使用PMOS時(shí)易于以較低電壓控...
  • 關(guān)鍵字: 手機(jī)充電管理  主流方案  PMOS  

用PMOS塊制作的電子打擊樂(lè)器電路圖

  • 這里介紹一種用PMOS集成電路構(gòu)成的電子打擊樂(lè)器。它可以產(chǎn)生板、鼓、叉等八種打擊樂(lè)的音響效果。如與時(shí)序脈沖電路配合,可以組成電子琴中的自動(dòng)打擊樂(lè)伴奏電路。由于采用了集成電路,結(jié)標(biāo)簡(jiǎn)單,使用元件少,用6伏電源
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OLED顯示器及其饋電技術(shù)

  •   有機(jī)LED圖形顯示器正在圖像質(zhì)量和低功耗兩個(gè)方面與LCD進(jìn)行較量   要 點(diǎn) • OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器與LCD相比,雖然成本較高,但功耗卻很低。 • 隨著OLED制造工藝的成熟和產(chǎn)量的攀升,功率轉(zhuǎn)換器制造商正在開始制造用于OLED顯示器的IC。 • 不可以不變應(yīng)萬(wàn)變:根據(jù)OLED顯示器類型的不同,所需的電源電壓和電流也隨之改變。在功率轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用系統(tǒng)清單上,“OLED”這個(gè)詞并不保證該器件適合
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1972年,中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路研制成功

  •   1972年,中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。
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pmos介紹

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管   全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor   別名 : positive MOS   金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源 [ 查看詳細(xì) ]

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