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NPB厚度對(duì)白光OLED性能的影響研究

作者: 時(shí)間:2012-10-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/167434.htm

近年來(lái),由于全球能源危機(jī)的,白光越來(lái)越受到科學(xué)界和人員的廣泛重視,因?yàn)樗粌H能夠作為新一代的照明光源,而且還可以作為固體光源應(yīng)用于制造全彩顯示器和顯示器的背光源。它具有節(jié)能、環(huán)保、可卷曲、輕薄和驅(qū)動(dòng)電壓低等諸多優(yōu)點(diǎn),因此受到業(yè)界人士的關(guān)注。白光的獲得大都通過(guò)混合三種顏色(紅、綠、藍(lán))的小分子、聚合物或磷光材料或兩種補(bǔ)償色(天藍(lán)和橙黃)的材料到多層或單層結(jié)構(gòu)中。大多數(shù)W都采用堆疊式結(jié)構(gòu)或者單發(fā)光層多摻雜劑的結(jié)構(gòu)。

目前國(guó)內(nèi)外的人員用不同方法制備了白光器件,如用聚合物PVK作為主體材料摻雜藍(lán)光染料和橙紅光染料的單一發(fā)光層,沒(méi)有空穴注入層和空穴傳輸層,陰極采用Mg2Ag合金陰極,這一方法制備出來(lái)的白光器件具有較好的白光發(fā)射,但是亮度和發(fā)光效率都較低,器件較為不好。國(guó)內(nèi)的研究人員也做過(guò)一篇調(diào)整空穴傳輸層(4,42N,N2bis2N212naphthy12N2pheny12amino2bipheny1)的改善藍(lán)光OLED器件的文章,得出亮度會(huì)隨的增加而增加,對(duì)應(yīng)的發(fā)光效率也有很大變化,從而得出對(duì)器件的發(fā)光很大。后來(lái)有人用了多發(fā)光層結(jié)構(gòu)制備白光器件,通過(guò)調(diào)整空穴傳輸層的厚度使器件的性能有了較大改善,但是對(duì)比以ADN為主體摻雜兩種染料的單發(fā)光層,其結(jié)構(gòu)復(fù)雜,操作程序繁瑣,控制誤差較大,同時(shí)發(fā)光層多,厚度增加,啟亮電壓增大,效率降低。

實(shí)驗(yàn)采用ADN作為主體材料,摻雜紅光和藍(lán)光染料的白光OLED體系制備器件,結(jié)果表明:這種結(jié)構(gòu)制備出來(lái)的白光OLED器件具有較好的色穩(wěn)定性,并且發(fā)光效率也較高。曾有文章討論了發(fā)光層中的紅光摻雜劑DCJTB的摻雜濃度對(duì)器件性能的,并得出了白光OLED的較佳摻雜濃度的器件。本文將進(jìn)一步討論空穴傳輸層厚度對(duì)基于ADN體系的白光OLED性能的影響,并對(duì)器件做進(jìn)一步的優(yōu)化,這光照明及顯示的制備具有一定的指導(dǎo)作用。

1 實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)用材料為西安瑞聯(lián)近代電子材料有限公司的OLED專用高純化學(xué)品,對(duì)所用ITO導(dǎo)電玻璃基片進(jìn)行了嚴(yán)格的清洗流程,分別用洗滌劑溶液、丙酮溶液、乙醇溶液和去離子水超聲清洗10min,然后在真空干燥箱中烘干。再將清潔而且干燥的ITO玻璃基片移入OLED2V型有機(jī)多功能真空成膜設(shè)備預(yù)處理室,在500V電壓下進(jìn)行氧等離子體濺射處理5min,這樣有利于除去ITO表面的碳污染,并提高ITO的功函數(shù),有利于空穴從ITO電極注入到有機(jī)材料中。預(yù)處理后的基片傳入真空腔體,有機(jī)材料和金屬陰極都在真空度為610×10-4Pa下依次進(jìn)行蒸鍍,有機(jī)材料的蒸發(fā)速率為012nm/s,陰極Al/LiF的蒸發(fā)速率為1nm/s,使用SI2TM206型六通道膜厚監(jiān)測(cè)儀進(jìn)行實(shí)時(shí)控制。

電子傳輸層采用Alq3,是因?yàn)樗哂懈叩碾婋x能EA(約310eV)和電子親和能Ip(約5195eV)以及好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,量子效率高且能夠通過(guò)真空蒸鍍的方法形成高質(zhì)量無(wú)針孔的薄膜。發(fā)光層用兩種熒光材料藍(lán)與紅摻雜在主體材料ADN中,形成白光發(fā)射。

TBPe是藍(lán)色發(fā)光材料,能夠有效地傳輸電子并且有效地阻止激基復(fù)合物的形成,提高效率。相關(guān)文獻(xiàn)表明DCJTB是目前最佳紅色染料,用DCJTB作為輔助摻雜劑,器件表現(xiàn)出了穩(wěn)定的電致發(fā)光EL效率。器件的結(jié)構(gòu)以及能級(jí)結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。

器件結(jié)構(gòu)與能級(jí)結(jié)構(gòu)圖

圖1 器件結(jié)構(gòu)與能級(jí)結(jié)構(gòu)圖

實(shí)驗(yàn)制備了四組OLED器件

A)ITO/22TNATA(15nm)/(15nm)/

ADN(30nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

B)ITO/22TNATA(30nm)/NPB(15nm)/

ADN(30nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

C)ITO/22TNATA(15nm)/NPB(35nm)/

ADN(30nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

D)ITO/22TNATA(15nm)/NPB(40nm)/

ADN(30nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。

在室溫、大氣環(huán)境下,測(cè)試以上四組未封裝器件,發(fā)光亮度采用ST2900B型光度計(jì)測(cè)量,器件的電致發(fā)光(EL)光譜特性使用杭州遠(yuǎn)方光電信息有限公司的PMS280光譜分析系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試,I2V特性曲線用直流電源DCPowerSupplyPS23003D進(jìn)行測(cè)量。

2 結(jié)果與討論

從圖2中可以看出,四組器件的電流密度和發(fā)光亮度均隨驅(qū)動(dòng)電壓的增加而增大,并且在高電場(chǎng)強(qiáng)度與正偏電壓呈指數(shù)關(guān)系,表現(xiàn)出典型的二極管整流特性。器件的電流密度和亮度隨著空穴傳輸層NPB厚度的變化而變化。當(dāng)NPB的厚度分別為15,30和35nm時(shí),電流密度相似,發(fā)光亮度隨著厚度的增加而逐漸增大,到35nm時(shí)亮度達(dá)到最大值14020cd/m2,擊穿電壓為1318V,當(dāng)NPB厚度再增加到40nm后,電流密度突然下降,隨之器件的發(fā)光亮度也顯著下降,當(dāng)下降到7790cd/m2,此時(shí)擊穿電壓為1313V。這一現(xiàn)象說(shuō)明,NPB作為空穴傳輸層材料不能太厚,否則會(huì)影響載流子傳輸,降低器件的發(fā)光效率。圖2同時(shí)由表1也可以看出,隨著NPB厚度的增加,四組器件的啟亮電壓和擊穿電壓都逐漸增大,而電流效率(ηL)和功率效率(ηP)也都逐漸增加,到厚度35nm時(shí)為最佳值,分別為7181cd/A和2194lm/W;當(dāng)厚度增加到40nm時(shí),發(fā)光效率則明顯下降,此時(shí)最大電流效率在電壓為9V時(shí)為4181cd/A,功率效率為2173lm/W,功率效率的值均在電流密度為2815mA/cm2處獲得。

器件的電流密度-電壓(J2V),亮度-電壓(L2V)與亮度-電流密度(L2J)特性曲線

器件的電流密度-電壓(J2V),亮度-電壓(L2V)與亮度-電流密度(L2J)特性曲線

圖2 器件的電流密度-電壓(J2V),亮度-電壓(L2V)與亮度-電流密度(L2J)特性曲線

表1 四組器件的電致發(fā)光性能


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