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直下式LED背光源驅動應用探討

作者: 時間:2012-10-19 來源:網絡 收藏

于電視背光模塊,因有著低耗電、薄型化與高色彩飽和度、高對比度的特性,背光機種儼然成為中高階電視的同義詞。而 TV在則又分為直下式與側光式。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/167442.htm

  側光式LED背光將LED燈條放置在TV模塊側邊再搭配導光板,讓LED背光模塊達到均勻的亮度,而放置在側邊的LED背光可減少整體電視厚度、打造出更輕薄的機身。而直下式LED 背光分為二種,傳統(tǒng)直下式LED是把LED 晶粒均勻地配置在液晶面板后方當作發(fā),使背光可以均勻傳達到整個屏幕,而傳統(tǒng)大尺寸直下式LED TV背光常常須要用到上千顆LED晶粒,成本相對較高,但直下式的好處是能夠分別設置不同的背光模塊權責區(qū)域使后畫面細節(jié)更細膩逼真,屬于高階直下式(High-End Direct)機種,然而LED晶粒過多且線路設計復雜成本較高的問題下,未能成為市場主流。然而近期在LED晶粒發(fā)光效率不斷拉升成本不斷下降及導光板價格卻居高不下的情況下,南韓TV業(yè)者如三星電子Samsung Electronics)及樂金電子(LG Electronics)為吸引消費者需求,開發(fā)出消耗電力較低、價格亦較低的直下式LED TV機種,價差與CCFL 型LCD TV拉近至10%以內,因無分區(qū)及時序同步控制一般稱為低階直下式(Low Cost Direct)LED TV.

  低價直下式LED背光就整體背光模塊而言使用更大的LED芯片,但仍然是以數(shù)組式,并且將LED封裝上增加了一個特殊的透鏡,進一步提高發(fā)光效率,因此可以使用較少的LED.背光模塊較厚,因為LED的光線需要足夠的反折射空間,因此它與一個傳統(tǒng)的CCFL背光模塊的厚度差不多。直下式的LED最大的好處是可以減少導光板(LGP),因而成本降低。通過移除增亮膜(DBEF),成本可更進一步降低。因為沒有導光板,就需要高效率擴散板來保持的亮度均勻性。另一個方面是降低了面板的亮度。綜上所述,此方法創(chuàng)造一個直下式的LED背光模塊其厚度與CCFL機型相同,但是成本卻低于側光式的LED背光模塊。

  就使用LED晶粒而言,低價直下式采用的系1瓦以上的高功率LED,相比之下,側光式LED TV使用的是1瓦以下的中低功率LED,由于高功率LED的面積較大,低價直下式背模塊廠能以較少的LED使用顆數(shù),即可達成系統(tǒng)客戶對于亮度的要求。 以40家韻碌LED TV估算,側光式約采用七十至八十顆LED,低價直下式則僅達二十至三十顆;盡管高功率LED面積為中低功率的兩倍,然在使用顆數(shù)顯著減少之下,低價直下式LED TV的LED總成本將較側光式LED TV明顯降低。

  許多電視面板制造商在設計這個新概念時,都朝向與CCFL背光模塊相同的成本來努力。挾著與冷陰極管(CCFL)相近成本的優(yōu)勢,低價直下式LED背光正快速在入門級和主流液晶電視市場攻城略地。NPD Display Search指出,在低價直下式LED背光的助陣下,LED背光正加速取代CCFL,并可望在2015年達到100%的市場滲透率(圖一)。反觀CCFL背光的液晶電視機種,則將面臨停產的命運。

圖一: 2009年至2015年NPD Display Search對各種LCD TVBacklight技術滲透率分析。

圖一: 2009年至2015年NPD Display Search對各種LCD TVBacklight技術滲透率分析。

  Edge LED Backlight

  一般于側光式LED backlight driver以4通道電流源的升壓控制器為主流,以Leadtrend LD7889為例,其拓樸架構如圖二所示。LD7889的升壓控制器采電流模式控制,電流模式控制優(yōu)點有:(1)具電壓前饋的特性,控制電路可立即修正輸入電壓的變動,且誤差放大器能夠專門對負載變動做校正,當電源或負載發(fā)生變化時能迅速反應。(2)逐個脈沖檢測和調節(jié)電流,能夠準確且靈敏地控制激磁和半導體組件的正確電流,并限制最大輸出電流,因此電源的過流及短路保護也很靈敏與迅速,轉換器運作的可靠度大大提高。(3)單極點的頻率響應,誤差放大器的補償可使用較大的增益帶寬,對負載變動有較佳的動態(tài)響應。而4信道LED器采線性電流平衡機制,其優(yōu)點為(1)使LED電流精確度高且電流漣波較?。?)當進行調光時,反應速度快(3)提升整體系統(tǒng)穩(wěn)定度(4)降低EMI.

  綜合上述優(yōu)點,LD7889又要求(1)線路精簡化,將LED的功率組件整合至控制IC內,(2)效率優(yōu)化,LED通道有較低的調節(jié)電壓,(3)高壓制成(約60V耐壓) ,滿足現(xiàn)階段側光式LED電壓需求。所以此類電路架構廣受LED backlight電源設計者喜好。

圖二: LED Backlight拓撲架構:Boost Converter +Internal MOSFET Current Balance

圖二: LED Backlight拓撲架構:Boost Converter +Internal MOSFET Current Balance.


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關鍵詞: 探討 應用 驅動 光源 LED

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