光電探測器陣列CCD轉移特性
為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉移效率,可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉移溝道從表面移向體內。由圖1(b)可以看出,勢能極小值脫離了界面進入了體內,避免了表面態(tài)的影響,因此大大提高了轉移效率。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/167562.htm為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉移效率,可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉移溝道從表面移向體內。由圖1(b)可以看出,勢能極小值脫離了界面進入了體內,避免了表面態(tài)的影響,因此大大提高了轉移效率。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/167562.htm
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