LED照明器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)因素
兼容性測(cè)試的初期成本很高,需要大量昂貴的設(shè)備來(lái)構(gòu)建測(cè)試環(huán)境,即便是外發(fā)委托測(cè)試,也會(huì)產(chǎn)生許多費(fèi)用,隨著產(chǎn)品的多樣化,投入費(fèi)用只會(huì)比前者更多。除此以外,設(shè)計(jì)者們還需要對(duì)測(cè)試過(guò)程中暴露出的不合格或不理想的環(huán)節(jié)做出修改,人力、物力、財(cái)力上都會(huì)承擔(dān)一定的負(fù)擔(dān)。因此,很多制造商會(huì)對(duì)是否有必要進(jìn)行兼容性測(cè)試這一問(wèn)題上產(chǎn)生疑慮。
然而,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,能夠引入兼容性測(cè)試這個(gè)概念的商家,各種好處將會(huì)在后期越來(lái)越多的得以體現(xiàn)。我們知道,EMC設(shè)計(jì)和EMC測(cè)試是相輔相成的。EMC測(cè)試直接反映了EMC設(shè)計(jì)的好壞。只有在產(chǎn)品的EMC設(shè)計(jì)和研發(fā)過(guò)程中進(jìn)行EMC相容性的預(yù)測(cè)和評(píng)估,才能及早發(fā)現(xiàn)可能存在的電磁干擾,并采取有效的抑制和防范措施,從而確保系統(tǒng)的電磁兼容性。EMC設(shè)計(jì)一個(gè)經(jīng)驗(yàn)累積的過(guò)程,積累越多的經(jīng)驗(yàn),就越能減少在修改設(shè)計(jì)和補(bǔ)救措施上的花費(fèi)。另一方面,如今產(chǎn)品質(zhì)量的重要性逐漸被更多的人所認(rèn)識(shí),做過(guò)兼容性測(cè)試的產(chǎn)品較之沒有做過(guò)兼容性測(cè)試的產(chǎn)品在性能質(zhì)量及可靠性方面有更高的保障,這對(duì)于樹立良好的品牌形象帶來(lái)更多的經(jīng)濟(jì)收益是至關(guān)重要的。
七 兼容性測(cè)試與LED性能標(biāo)準(zhǔn)
LED照明技術(shù)問(wèn)世以后,由于缺少固態(tài)照明(SSL)的標(biāo)準(zhǔn)使市場(chǎng)上出現(xiàn)了諸多混亂。不同廠商間測(cè)試方法和術(shù)語(yǔ)的不同使新興的LED產(chǎn)品很難與傳統(tǒng)照明產(chǎn)品進(jìn)行比較,LED產(chǎn)品間也無(wú)法比較。為解決這一困境,在2008年由一些權(quán)威組織和機(jī)構(gòu)聯(lián)合頒布了LM-79和LM-80標(biāo)準(zhǔn):前者是固態(tài)照明設(shè)備電子和光度的認(rèn)可測(cè)試方法,可以計(jì)算LED產(chǎn)品的燈具效率(通過(guò)光凈光輸出量除以輸出功率計(jì)算每瓦流明量),燈具效率是測(cè)量LED產(chǎn)品性能最可靠的途徑,通過(guò)衡量燈具性能替代曾經(jīng)依賴的傳統(tǒng)手段來(lái)區(qū)別燈具等級(jí)和燈具功效,這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)為幫助建立燈具性能的精確比較提供基礎(chǔ),不僅僅是固態(tài)照明產(chǎn)品同時(shí)也針對(duì)各種光源;后者是LED光源流明衰減核定測(cè)量方法,通過(guò)對(duì)光源流明衰減方式的定義,從而對(duì)LED預(yù)期壽命進(jìn)行評(píng)估,與靠燈絲發(fā)光的光源不一樣(燈絲發(fā)光的燈會(huì)完全失效不亮),而發(fā)光二極管通常不會(huì)這樣,LED的光會(huì)隨著時(shí)間慢慢的減弱,這是所謂的流明衰減,這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)流明衰減測(cè)試的方法制訂了一套標(biāo)準(zhǔn)。除此以外,還有一些關(guān)于LED的性能標(biāo)準(zhǔn),在此不一一列舉了。如今的LED照明器件及系統(tǒng)的兼容性測(cè)試,應(yīng)該結(jié)合這些標(biāo)準(zhǔn),從而獲取更多有關(guān)LED照明器件及系統(tǒng)在日常真實(shí)的電氣環(huán)境中的使用性能知識(shí)。
八 兼容性測(cè)試環(huán)境設(shè)計(jì)的實(shí)例
在此以SJ-T2355-半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的靜電抗干擾測(cè)試為例,簡(jiǎn)單說(shuō)明兼容性測(cè)試應(yīng)該如何具體去實(shí)施,以及如何檢驗(yàn)。
SJ-T2355-半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的靜電放電敏感性測(cè)試和分類:
1) 人體模式的靜電放電敏感性測(cè)試
圖1人體模式的靜電放電敏感性測(cè)試原理圖
?、?雙極性脈沖發(fā)生器應(yīng)該設(shè)計(jì)為避免重復(fù)充電和產(chǎn)生雙脈沖。不能靠交換A、B端點(diǎn)來(lái)獲得雙極性性能。
?、?開關(guān)SW1須在脈沖通過(guò)后關(guān)閉10ms~100ms,以確保被試插座不在充電狀態(tài),它也應(yīng)該先于下個(gè)脈沖到來(lái)前至少開啟10ms。電阻R1和開關(guān)串聯(lián)以確保器件有一個(gè)慢放電,這樣就避免了一個(gè)帶電器件模式放電的可能性。
?、?圖1中評(píng)價(jià)電阻負(fù)載1為:一種截面為0.83mm2~0.21mm2鍍錫銅短路線,跨距適合試驗(yàn)插座。負(fù)載2為:500Ω,±1%,1000V,低電感薄膜電阻。
?、?示波器要求:最小靈敏度100mA/cm(電流傳感器),帶寬350MHz,最小寫入速率1cm/ns。
?、?電流傳感器要求
最小帶寬350MHz;
峰值脈沖電流12A;
上升時(shí)間小于1ns;
能采用1.5mm直徑的實(shí)導(dǎo)體;
能提供1mv/mA~5 mv/mA的輸出電壓;
?、?測(cè)試插座上再疊插一個(gè)插座(第二個(gè)插座疊插在主測(cè)試插座上)的情況,僅在第二個(gè)插座的波形滿足本標(biāo)準(zhǔn)的要求才允許;
?、?使用短路線,分別獲得各敏感度等級(jí)的電流波形,修正這些波形使?jié)M足圖2的要求;
?、?電流脈沖應(yīng)滿足下列特性
脈沖上升時(shí)間tr為:5ns~25ns;
最大允許振鈴波峰對(duì)峰值Ir必須小于Ipr的15%,脈沖起始后要求100ns內(nèi)沒有明顯振鈴波;
如圖4所示,Ipr是通過(guò)500Ω負(fù)載電阻的峰值電流,對(duì)于1000V預(yù)充電壓它應(yīng)在375mA~500mA之間。對(duì)于4000V預(yù)充電電壓它應(yīng)在1.5A~2.2A。它不應(yīng)小于相同靈敏度等級(jí)的早先測(cè)量得到的Ips值的63%。
圖2 通過(guò)短路線的電流脈沖
圖3 通過(guò)短路線的電流波形
圖4 通過(guò)500Ω電阻的電流波形
評(píng)論