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功率型LED結(jié)溫和熱阻在不同電流下性質(zhì)研究

作者: 時(shí)間:2011-03-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

正向電壓法測(cè)得的各種顏色1W功率LED在不同驅(qū)動(dòng)電流下的結(jié)溫值

表1:正向電壓法測(cè)得的各種顏色1W功率LED在不同驅(qū)動(dòng)電流下的結(jié)溫值

  其次,從表中可以看出,由AlGaInP材料制作的紅色、橙色LED結(jié)溫在相同驅(qū)動(dòng)電流下結(jié)溫差距不大,由InGaN材料制作的藍(lán)色、綠色、白色LED的結(jié)溫也很相似,而由AlGaInP材料制作的LED的結(jié)溫要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于InGaN材料制作的LED。這是由于材料禁帶寬度差異,在相同輸入電流下InGaN材料制作的LED電壓值要高于AlGaInP材料制作的紅色、橙色LED,雖然InGaN材料LED的光電轉(zhuǎn)換效率要高些,但其電功率轉(zhuǎn)換成熱功率的值仍要大于Al-GaInP紅色、橙色LED。即在相同驅(qū)動(dòng)電流下,In-GaN材料LED產(chǎn)生的熱功率要大于AlGaInP材料的紅色、橙色LED。而且,由于InGaN材料的P型摻雜濃度低于AlGaInP材料,導(dǎo)致InGaN芯片的串聯(lián)歐姆電阻要大于AlGaInP材料的串聯(lián)歐姆電阻,大電流條件下串聯(lián)歐姆電阻產(chǎn)生的熱量[7]也是導(dǎo)致兩種芯片LED結(jié)溫不同的重要因素。

  再次,AlGaInP材料制作的紅色LED的結(jié)溫要低于相同芯片材料的橙色LED,反證了文中關(guān)于圖2
的解釋是合理的。

  3.3 正向電壓法、紅外熱像儀法比較

  采用實(shí)驗(yàn)室自制的1mm×1mm芯片進(jìn)行了正向電壓法和紅外熱像儀法測(cè)量結(jié)溫的方法比較。圖5是兩種方法測(cè)得的1W藍(lán)光LED在不同驅(qū)動(dòng)電流下的結(jié)溫變化曲線。由圖可以看出,兩種方法測(cè)得的結(jié)溫值基本相同,無(wú)論哪種方法,結(jié)溫均隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而增大。正向電壓法得到的是平均溫度效應(yīng)。相比之下,紅外熱像儀法能夠快捷地獲取器件表面的溫度分布圖像,展現(xiàn)芯片質(zhì)量的全局概況,并能清晰顯示出可能導(dǎo)致器件熱失效主要因素——熱斑的分布密度,尤其近些年來(lái),通過(guò)結(jié)合現(xiàn)代高速發(fā)展的計(jì)算機(jī)技術(shù)、微電子技術(shù)和圖像處理技術(shù),光學(xué)測(cè)溫技術(shù)的靈敏度、精度、穩(wěn)定性和自動(dòng)化程度都得到了大幅度提高,其應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣泛。但其缺點(diǎn)是只能測(cè)量未封裝的裸露芯片,封裝后的芯片必須拆封后才能進(jìn)行測(cè)量,并且測(cè)量?jī)x器昂貴。

正向電壓法和紅外熱像儀法測(cè)得的藍(lán)光LED結(jié)溫

圖5:正向電壓法和紅外熱像儀法測(cè)得的藍(lán)光LED結(jié)溫

圖6是利用紅外熱像儀測(cè)得的藍(lán)光LED在驅(qū)動(dòng)電流為800mA時(shí)的表面溫度分布圖。由圖可以看出,該種倒裝結(jié)構(gòu)的大面積區(qū)域溫度分布比較均勻,最高溫度為79.37°C,主要集中在N型電極壓焊點(diǎn)附近的P區(qū)。最低溫度為70.43°C,溫差較小,主要原因是這種LED芯片采用了環(huán)形插指電極結(jié)構(gòu)減小了電流擴(kuò)展路徑,使電流在N型區(qū)流動(dòng)的橫向電阻減小,產(chǎn)生熱量降低,所以器件溫升小。

1W 藍(lán)光LED表面溫度分布

圖6:1W 藍(lán)光LED表面溫度分布

  4、結(jié)論

  通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED結(jié)溫和熱阻的測(cè)量發(fā)現(xiàn),任何顏色LED的熱阻均隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大,其中InGaN材料的藍(lán)光、白光LED在小于額定電流下工作時(shí),熱阻上升迅速;驅(qū)動(dòng)電流高于額定電流時(shí),熱阻上升速率變緩。其他顏色LED熱阻隨驅(qū)動(dòng)電流變化速率基本不變。結(jié)溫也會(huì)隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大。相同驅(qū)動(dòng)電流下,由AlGaInP材料制作的紅色、橙色LED結(jié)溫要低于In-GaN材料的藍(lán)色、綠色、白色LED的結(jié)溫。比較了正向電壓法和紅外熱像儀法測(cè)得的藍(lán)光LED結(jié)溫值,分析了兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。結(jié)果表明,紅外熱像儀法能夠直觀地反映芯片的最高溫度區(qū)域,器件的失效最終還是由最高溫度決定的;但正向壓降法測(cè)得的結(jié)溫與紅外法差別不大,作為一種快捷方便非破壞性的方法,可以首先被普遍采用。

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