FinFET新技術對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響

　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。

　　FinFET這樣創(chuàng)新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術，成為了業(yè)內(nèi)廠商大力競爭的新著力點。

　　電晶體結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢是越來越小，保證高效便宜的半導體晶片被研發(fā)。但是隨著電晶體在空間上的線性微縮逐漸達到極限，各種問題和挑戰(zhàn)也就顯現(xiàn)出來，尤其是通道閘極控制效果降低、漏電流增加、短通道效應出現(xiàn)等問題。這些問題會帶來嚴重的后果，如電晶體不當關閉、電子裝置待機耗電量增加等。這對于目前的半導體產(chǎn)業(yè)和電子產(chǎn)業(yè)來說，無疑是無法滿足需求的。

　　而鰭式電晶體(FinFET)技術正是在這樣的狀況下應運而生，能夠通過三層閘極來有效壓制關閉狀態(tài)漏電流，解決上述問題。FinFET技術能夠通過驅(qū)動電流轉(zhuǎn)化為低功耗和高效能，而且晶粒尺寸也被縮小。FinFET技術對移動設備的來說也變得日益重要。自2011年英特爾推出商業(yè)化的22納米節(jié)點工藝的FinFET,目前FinFET已經(jīng)在向20納米節(jié)點和14納米節(jié)點推進發(fā)展，并帶動整個半導體制造技術與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。