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新型大電流CPU供電的設(shè)計挑戰(zhàn)

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作者: 時間:2006-11-10 來源:Maxim 收藏
在過去五年里,Intel和AMD的性能有了顯著提高。性能的提高要求為其供電的電壓調(diào)節(jié)器更加精確和復(fù)雜。

電源設(shè)計人員所面臨的最大挑戰(zhàn)是如何滿足更大的功率、更小的電壓容限以及更快的瞬態(tài)響應(yīng),并降低電源的總成本。本文簡要探討了脈寬調(diào)制()的發(fā)展歷程、多相工作模式和電流均衡,并提供了一些有助于設(shè)計人員應(yīng)對大功率供電各種挑戰(zhàn)的最新技術(shù)。

性能要求不斷提高,成本控制更加嚴(yán)格

下表展示了CPU性能在過去5年間的發(fā)展。注意:在功率大幅增加的同時,電壓尤其是電壓容限顯著降低。

功率: 電壓調(diào)節(jié)器的一個參數(shù)為“相”數(shù),或其提供的通道數(shù)。依據(jù)可用空間和散熱等因素,每相可提供25W至40W的功率。對于Pentium 3而言,單相電壓調(diào)節(jié)器就可滿足要求,而最新一代CPU則需要采用3相或4相電壓調(diào)節(jié)器。

電流均衡: 設(shè)計多相電源所面臨的挑戰(zhàn)之一便是合理分配各相電流(功率)。如果某相電流嚴(yán)重地不成比例,會加大元器件的負(fù)荷并縮短使用壽命。實際上,所有多相電壓調(diào)節(jié)器都包含了能夠主動均衡各相電流的電路。

精度: 為使CPU工作在較高的時鐘頻率,要求其電源電壓具有極高精度。并且必須在靜態(tài)和動態(tài)負(fù)載下都能保持高精度指標(biāo)。通過采用精密的片上基準(zhǔn),以及最大程度地降低失調(diào)電壓和偏置電流,可獲得良好的靜態(tài)精度。而動態(tài)電壓精度則與電壓調(diào)節(jié)器的控制環(huán)路帶寬以及調(diào)節(jié)器輸出端的大容量電容有關(guān)。由于調(diào)節(jié)器不能立刻響應(yīng)CPU的電流突變,因此設(shè)計電路需要大容量的電容。調(diào)節(jié)器控制環(huán)路帶寬越高,響應(yīng)CPU動態(tài)需求的速度就越高,并可快速補(bǔ)充大容量輸出電容的暫態(tài)電流。

對CPU電壓調(diào)節(jié)器的要求并非不計成本,裸片尺寸和引腳數(shù)都與調(diào)節(jié)器提供的相數(shù)成比例。高精度電壓基準(zhǔn)要求采用成熟、完善的設(shè)計方案和校準(zhǔn)技術(shù)。用于電壓和電流檢測、電壓調(diào)節(jié)以及有源均流的放大器必須保證高速工作,并具有較低的失調(diào)誤差和偏置電流,而且相對于工藝和溫度保持穩(wěn)定。

大功率CPU調(diào)節(jié)器設(shè)計所面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)也許就是成本問題,在過去5年當(dāng)中,CPU核電壓調(diào)節(jié)器的每相價格降低了4倍甚至更多。

電源控制的基本要素

所有多相電壓調(diào)節(jié)器都采用這種或那種形式的結(jié)構(gòu)。大多數(shù)電壓調(diào)節(jié)器工作在固定頻率,由時鐘信號觸發(fā)高邊MOSFET (圖1中的QHI)導(dǎo)通,使輸入電源開始對電感充電。

簡化的單相降壓調(diào)節(jié)器

圖1. 簡化的單相降壓調(diào)節(jié)器

當(dāng)控制環(huán)路確定應(yīng)該終止“導(dǎo)通脈沖”時,高邊MOSFET斷開,低邊MOSFET (QLO)導(dǎo)通,電感對負(fù)載放電。由于脈沖前沿(高邊開通)時間固定(由內(nèi)部時鐘設(shè)置),而脈沖后沿(高邊斷開)則根據(jù)控制環(huán)路和實時狀態(tài)變化,因此這種控制類型稱為后沿調(diào)制。高邊MOSFET導(dǎo)通時間相對于時鐘周期的百分比稱為占空比(D),該占空比在穩(wěn)定狀態(tài)下等于VOUT/VIN。

在電壓控制模式下(參見圖2),輸出電壓(或其比例)與固定的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。產(chǎn)生的誤差信號再與內(nèi)部固定的鋸齒波(或斜坡)信號進(jìn)行比較。該斜坡信號與時鐘脈沖同時觸發(fā),而且只要斜坡信號低于誤差電壓,PWM比較器的輸出就一直保持為高電平。當(dāng)斜坡信號高于誤差電壓時,PWM比較器的輸出變?yōu)榈碗娖讲⒔K止導(dǎo)通。電壓環(huán)路通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)控制電壓(VC)以及由此產(chǎn)生的占空比,使輸出電壓(圖3)保持恒定。

簡化的電壓模式降壓調(diào)節(jié)器

圖2. 簡化的電壓模式降壓調(diào)節(jié)器

電壓模式波形圖

圖3. 電壓模式波形圖

峰值電流模式(參見圖4)將電流檢測引入控制環(huán)路,用電感電流斜坡取代了電壓模式下的斜坡信號。與電壓模式類似,按照固定頻率開通高邊MOSFET,使電感電流線性上升。當(dāng)峰值電感電流等于誤差電壓時,導(dǎo)通脈沖終止,高邊MOSFET斷開。這種方式需要一個電壓環(huán)路和一個電流環(huán)路,電壓環(huán)路通過適當(dāng)調(diào)整由電流環(huán)路測量的電感峰值電流,來保持輸出電壓的穩(wěn)定。

簡化的峰值電流模式降壓調(diào)節(jié)器

圖4. 簡化的峰值電流模式降壓調(diào)節(jié)器

需要考慮及權(quán)衡的事項

正如人們所料,每種方法都存在其優(yōu)缺點。以下各節(jié)將對電源設(shè)計人員必須考慮的因素加以說明。

噪聲抑制

電壓模式具有良好的噪聲抑制能力,這是因為在設(shè)計控制IC時,可以使斜坡信號的大小與實際信號一樣大。輸出電壓是返回到控制器的唯一敏感信號,因此,電壓模式相對容易布局。

除了輸出電壓外,峰值電流模式還需要返回一個電流檢測信號,可以由負(fù)載電流通路的取樣電阻提供(參見電流均衡)。若要最大限度地降低I2R損耗,檢流電阻的阻值要盡可能小一些。因此,取樣信號往往比電壓模式的內(nèi)部斜坡信號小一個數(shù)量級。值得注意的是,應(yīng)確保信號不受外部噪聲源的干擾。在實際應(yīng)用中,峰值電流模式非常通用

,而且,采用標(biāo)準(zhǔn)的的電路板布局原則,其布局布線并不困難。

輸入電壓調(diào)節(jié)

對于輸入電壓的變化,電壓模式的響應(yīng)較慢。要響應(yīng)輸入電壓的變化,首先必須由輸出電壓誤差反映出來,然后經(jīng)過電壓反饋環(huán)路進(jìn)行校正。因此,響應(yīng)時間受控制環(huán)路的帶寬限制。目前,大多數(shù)電壓模式調(diào)節(jié)器均包含可檢測輸入電壓變化的電路,并通過相應(yīng)地調(diào)節(jié)其斜坡信號提供“前饋”。然而,這增加了控制器的復(fù)雜性。峰值電流模式的占空比由電感電流斜坡控制,是輸入電壓和輸出電壓二者的函數(shù),峰值電流模式的逐周期電流比較可以提供固有的前饋,因而能夠快速響應(yīng)輸入電壓的變化。

電流均衡

兩相或多相電壓調(diào)節(jié)器必須動態(tài)均衡各相之間的電流,防止某一相電流不成比例。每相電流檢測可通過監(jiān)測高邊或低邊MOSFET的電流來實現(xiàn),或通過檢測每相流過檢流電阻的電流來實現(xiàn)。檢測MOSFET的電流成本低廉,因為它利用了現(xiàn)有的電路元件。但是,由于MOSFET電阻隨工藝和溫度明顯變化,因此精度較低。利用檢流電阻可以實現(xiàn)精確檢測,但增加了成本,并降低了電源轉(zhuǎn)換效率。

獲取每相電流信息的另一種方法是利用電感的直流電阻(DCR)作為檢流元件。由于這種方法利用了現(xiàn)有的電路元件,并由DCR容限來保證合理的精度,因此不增加任何成本。將串聯(lián)的電阻、電容跨接在電感兩端,RC時間常數(shù)與L/DCR時間常數(shù)相匹配。通過檢測電容器兩端的電壓,即可很好地表征電感電流的直流和交流特性。目前這種方法在電壓模式和電流模式CPU供電調(diào)節(jié)器中相當(dāng)常用。

選擇電壓模式和電流模式是另一個需要權(quán)衡的問題。由于電壓模式只在控制環(huán)路中使用電壓信號,因此該模式不能控制各個電感的相電流,而這恰好是實現(xiàn)均流的必要條件。峰值電流模式本身可提供電流均衡,因為該模式利用電感電流信號作為控制電路反饋的一部分。目前多相電壓模式調(diào)節(jié)器必須再增加一個控制環(huán)路來實現(xiàn)均流,這樣就增加了IC的復(fù)雜性,并帶來其它需要權(quán)衡的問題,見電壓定位和瞬態(tài)響應(yīng)部分。

峰值電流模式具備固有的均流功能,但也存在影響均流精度的人為因素。由于電感電流峰值是受控的,而電流谷值并不受控制,兩相之間電感值的差異(例如容限產(chǎn)生的差異)將產(chǎn)生不同峰值的電感電流紋波,造成兩相直流電流的失配,并因此影響相電流均衡的精度。

Maxim運(yùn)用一種稱為快速有源平均(RA2*)的專有技術(shù),通過獲得每相電感紋波電流的平均值消除了該缺陷。RA2電路(參見圖5)需要5至10個開關(guān)周期獲取每一相的峰值紋波電流,然后用峰值電流信號減去紋波電流的1/2。將峰值控制點從電感電流峰值移至直流電流,這樣既保持了峰值電流模式的優(yōu)點,又可以實現(xiàn)非常精確的直流電流匹配。由于RA2電路不在穩(wěn)壓調(diào)節(jié)電流環(huán)路上,因此不會降低瞬態(tài)響應(yīng)速度。這項技術(shù)已用于針對Intel VRD 10.1(和下一代VRD)以及AMD K8 Socket M2設(shè)計的MAX8809A/MAX8810A核電壓調(diào)節(jié)器中。

ra2算法的實現(xiàn)

圖5. RA2算法的實現(xiàn)

電壓定位和瞬態(tài)響應(yīng)

當(dāng)處理器負(fù)載突變時,現(xiàn)代CPU具有較大的瞬態(tài)電流。在這些苛刻的動態(tài)指標(biāo)下,電壓誤差必須保持在允許范圍內(nèi),否則,CPU就可能閉鎖。使用足夠大的電容可以吸收或供出CPU瞬變電流;然而,這增加了整體成本。

大多數(shù)大電流CPU核電源采用了電壓定位技術(shù),以減小對大容量電容的需求。輸出電壓可以依據(jù)定義好的斜率隨負(fù)載電流增大而降低(跌落)。電壓與電流之間的關(guān)系曲線稱為“負(fù)載線”,斜率定義為阻抗(例如,1m)。該方案的優(yōu)點是動態(tài)下可放寬電壓裕量,從而減小了安全工作對電容容量的要求。

如果不考慮電壓定位,從理論上講電壓模式在電壓環(huán)路響應(yīng)方面具有較大優(yōu)勢。環(huán)路的理論帶寬是輸出電壓紋波頻率的函數(shù),或是每相開關(guān)頻率與相數(shù)的乘積。在峰值電流模式下,由于“采樣效應(yīng)”,電壓環(huán)路帶寬僅僅是每相開關(guān)頻率的函數(shù)。

然而,電壓定位在具體應(yīng)用中存在實質(zhì)上的差別。注意:電壓模式控制還需要第二個控制環(huán)路來實現(xiàn)電流均衡。該環(huán)路的帶寬通常設(shè)置為電壓環(huán)路帶寬的1/5至1/10,以防止和電壓環(huán)路相互干擾,由于電流均衡通常為低速調(diào)節(jié),因此低帶寬足以滿足要求。然而,對于電壓定位而言,負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是電流環(huán)路帶寬的直接函數(shù)。對于電壓模式,其帶寬相當(dāng)?shù)?例如5kHz)。對于峰值電流模式,電流環(huán)路帶寬與電壓環(huán)路帶寬相同(如50kHz至75kHz) ,因為僅在一個環(huán)路使用電壓和電流反饋。圖6和圖7所示為示波器測試到的圖形,從中可以看出瞬態(tài)性能的差異非常明顯。兩個圖中顯示的都是先加載95A階躍負(fù)載,然后斷開95A負(fù)載的情況。

電壓模式瞬態(tài)響應(yīng)(競爭產(chǎn)品)

圖6. 電壓模式瞬態(tài)響應(yīng)(競爭產(chǎn)品)

峰值電流模式瞬態(tài)響應(yīng)(max8810a)

圖7. 峰值電流

模式瞬態(tài)響應(yīng)(MAX8810A)

不同調(diào)節(jié)器實現(xiàn)電壓定位的方式不盡相同。電壓模式下的第二個電流環(huán)路通??商峁┛偲骄娏?。該電流按照一定比例,通過電阻建立一個偏移電壓,該偏移電壓作用在基準(zhǔn)電壓或反饋電壓,需選取適當(dāng)?shù)淖柚狄蕴峁┻m當(dāng)?shù)呢?fù)載線電阻。

MAX8809A/MAX8810A采用另一種不同的方法,用一定的增益來動態(tài)設(shè)置輸出負(fù)載線(圖8)。

具有動態(tài)電壓定位的峰值電流模式控制(max8810a)

圖8. 具有動態(tài)電壓定位的峰值電流模式控制(MAX8810A)

誤差電壓計算公式如下所示:

VC = gMV x RCOMP x (VDAC - VOUT)

其中,gMV是誤差放大器的增益,RCOMP是誤差放大器輸出端和地之間的電阻,VDAC是所期望的輸出電壓,VOUT是實際的輸出電壓。

同樣,PWM比較器反相輸入端上的電壓為:

VC = (IOUT / N) x RSENSE x GCA

其中,IOUT是輸出(CPU)負(fù)載電流,N是相數(shù),RSENSE是電流檢測電阻,GCA是電流檢測放大器的增益。

在穩(wěn)壓狀態(tài)下,這兩個電壓必須相等,將變量代入并重新整理,可得:

(VDAC - VOUT) / IOUT = (RSENSE x GCA) / (N x gMV x RCOMP)

(VDAC - VOUT) / IOUT是前面定義的負(fù)載線阻抗。電流檢測增益(GCA)和誤差放大器跨導(dǎo)(gMV)為IC參數(shù),是恒定常量;參數(shù)RSENSE和N則由具體應(yīng)用決定。因此,通過選擇恰當(dāng)?shù)腞COMP值可設(shè)置負(fù)載線路阻抗,它還用來設(shè)置誤差電壓放大器的增益。

環(huán)路補(bǔ)償

上述MAX8809A/MAX8810A電壓定位技術(shù)的優(yōu)點在于其簡易性。用于電壓定位的誤差放大器輸出電阻也可用于環(huán)路補(bǔ)償。電流峰值模式僅需要單極點補(bǔ)償,以便抵消大容量電容及其ESR所形成的零點。MAX8809A/MAX8810A則僅需要增加一個與電壓定位電阻并聯(lián)的小電容。電壓定位和環(huán)路補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)合大大減少影響調(diào)節(jié)器輸出精度的誤差源。

由于電壓模式調(diào)制器(控制環(huán)路)和輸出濾波器引入了幾個極點和零點,其補(bǔ)償更加復(fù)雜。電壓模式通常需要III型補(bǔ)償方案,增加了小尺寸電阻和電容的數(shù)目。

溫度補(bǔ)償

用電感DCR作為電流檢測元件的缺點是:由于銅線具有正溫度系數(shù),因此DCR會隨溫度變化。這直接影響了電壓定位和限流保護(hù)的精度。

可使用等值、負(fù)溫度系數(shù)的電阻(NTC)對設(shè)計進(jìn)行補(bǔ)償。該NTC通常也是設(shè)置負(fù)載線阻抗電阻網(wǎng)絡(luò)的一部分,確保輸出電壓與電流比例在工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定。由于NTC在整個溫度范圍內(nèi)是非線性的,因此,電阻網(wǎng)絡(luò)必須包括兩個額外的電阻,在工作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)阻抗線性化。

該技術(shù)的缺點是限流電路并未進(jìn)行溫度補(bǔ)償。室溫下確定的限流門限在高溫下必須按比例增加,以應(yīng)對增強(qiáng)的電流信號。室溫下,電感和MOSFET必須加大尺寸,以處理限流條件下的最大電流,這會提高方案成本。

MAX8809A/MAX8810A提供了一項創(chuàng)新技術(shù),這些調(diào)節(jié)器也采用NTC,但與電壓定位電路無關(guān)。器件內(nèi)部進(jìn)行線性化處理,省去了兩個外部電阻,經(jīng)過溫度修正后的電流信息用于內(nèi)部電壓定位和限流。競爭產(chǎn)品還需要第二個NTC補(bǔ)償限流,而MAX8809A/MAX8810A則使用同一內(nèi)部溫度信息實現(xiàn)VRHOT功能,通過一個信號指示電壓調(diào)節(jié)器是否超出某一特定溫度。因此,用一個溫度檢測元件實現(xiàn)了三個溫度控制功能,大大降低了系統(tǒng)總成本。

結(jié)論

本文討論了新型CPU供電的基本要素,包括兩個常用的解決方案,電壓模式和峰值電流模式,并介紹了每個方案在大電流、多相電源設(shè)計中需要權(quán)衡的特定因素。闡述了MAX8809A/MAX8810A核電壓調(diào)節(jié)器所具備的特性和技術(shù):可借助RA2技術(shù)實現(xiàn)峰值電流模式控制,有助于簡化設(shè)計過程,降低解決方案的總成本。關(guān)于Maxim在臺式PC和服務(wù)器應(yīng)用方面的其它電壓調(diào)節(jié)器方案,請參考網(wǎng)站:計算機(jī):臺式機(jī)、工作站、服務(wù)器。 



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