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基于MSP430的多探頭核輻射劑量率儀研制

作者: 時(shí)間:2011-04-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:為滿足探測(cè)儀便攜化,智能化的要求,探討了以F169單片機(jī)為核心的多率儀的軟硬件實(shí)現(xiàn)方法。在介紹了整個(gè)系統(tǒng)的基礎(chǔ)上,對(duì)儀器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵問題進(jìn)行了詳細(xì)說明,重點(diǎn)討論了通過單片機(jī)給多個(gè)供高壓電的原理和分別連接多個(gè)后數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?shí)現(xiàn)方法,并給出了單片機(jī)外圍電路的原理圖。試驗(yàn)證明,該儀器完全可以用于探測(cè)領(lǐng)域,且具有小型化、數(shù)字化、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)鍵詞:;便攜化;智能化;核輻射;多探頭

目前國內(nèi)的輻射防護(hù)儀表無論是便攜式的還是固定監(jiān)測(cè)式的儀器都是采用一個(gè)探頭對(duì)應(yīng)一個(gè)主機(jī)的形式,而國外已經(jīng)有多個(gè)探頭對(duì)應(yīng)一個(gè)主機(jī)的機(jī)型,這種多探頭輻射測(cè)量儀具有的最大優(yōu)勢(shì)就是在主機(jī)不變的情況下只需更換不同的數(shù)字探頭就可以分別測(cè)量α,β,γ的率;而且測(cè)同一種射線時(shí)還可以根據(jù)不同情況選擇不同種類的探頭,利用所選探頭的優(yōu)點(diǎn)擴(kuò)大儀器的量程;同時(shí)還避免了同類電路板的重復(fù)開發(fā),產(chǎn)品的升級(jí)以及系統(tǒng)構(gòu)成的變化只需改變軟件,這樣從很多方面都大大降低了成本。

1 系統(tǒng)概述
本系統(tǒng)由探頭和主機(jī)兩個(gè)部分組成。外接探頭內(nèi)部的探測(cè)器類型包括測(cè)量α的ZnS探測(cè)器、測(cè)量β的塑料閃爍體探測(cè)器,測(cè)量γ的NaI晶體探測(cè)器,以及同時(shí)測(cè)量α,β的雙閃爍體探測(cè)器和同時(shí)測(cè)量α,β,γ的雙GM管探測(cè)器。探頭內(nèi)置一片F169型單片機(jī),以提高其數(shù)字化程度;主機(jī)是以單片機(jī)MSP430F169為核心檢測(cè)系統(tǒng)。MSP430F169單片機(jī)是超低功耗的16位混合信號(hào)處理器,在運(yùn)算性能上比8位處理器高,遠(yuǎn)不止兩倍。在本設(shè)計(jì)中,MSP430F169大部分時(shí)間工作于低功耗模式0情況下,此時(shí)耗電為50μA/s,只有主機(jī)向探頭發(fā)送命令時(shí),才觸發(fā)一個(gè)極短暫運(yùn)行。運(yùn)行期間電流消耗250μA/MIPS左右。此系統(tǒng)用于查詢探頭檢測(cè)到的實(shí)時(shí)率和歷史數(shù)據(jù)及設(shè)置探頭所需的參數(shù),當(dāng)射線進(jìn)入各類型探測(cè)器后產(chǎn)生電信號(hào),電信號(hào)經(jīng)過信號(hào)調(diào)整電路轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)脈沖頻率信號(hào),探頭內(nèi)單片機(jī)系統(tǒng)在設(shè)置的時(shí)間內(nèi)對(duì)脈沖計(jì)數(shù),再利用相應(yīng)的算法計(jì)算出劑量率,將該劑量率通過RS 485總線傳送給主機(jī),最后在主機(jī)的液晶顯示界面將劑量率顯示出來。

2 數(shù)字探頭介紹
圖1就是數(shù)字探頭的結(jié)構(gòu),將探頭數(shù)字化可以說是本設(shè)計(jì)的一個(gè)核心內(nèi)容,其內(nèi)部的單片機(jī)與主機(jī)中的單片機(jī)通過RS 485總線相互通信,完成修改參數(shù),傳輸數(shù)據(jù)的功能。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/172888.htm

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數(shù)字探頭是由探測(cè)器、放大電路、甄別成型電路和一片MSP430單片機(jī)組成;而常規(guī)的模擬探頭只是由探測(cè)器和前置放大電路和脈沖成型電路組成,由此可見,數(shù)字探頭的集成度更高,智能化更強(qiáng),適合編程控制。本文中所用到的數(shù)字探頭就可通過編程修改以下參數(shù):
測(cè)量時(shí)間:0~60 s;測(cè)量次數(shù):0~99次;校正因子:0.01~9.99;零點(diǎn):-20~+20;高壓:-1 000~+500 V。


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