晶體管開關(guān)電路的加速電容器
飽和開關(guān)的問題點:OFF延時時間
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/174685.htm如圖1所示,使場效應(yīng)晶體管開關(guān)動作時,加給晶體管的基極電流IB:是IB=IC/hFE,決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓VCE(set)減小,使晶體管的ON時的電力損耗降低的緣故。
這樣,晶體管飽和動作時,如圖2所示,基極電流IB,即使為0,晶體管也不能立刻OFF,集電極電流在積蓄(strage)時間tstg+上升時間tr,之后才變?yōu)?(toff=tstg=tr)。
圖1 基本的晶體管開關(guān)電路
圖2 為使開關(guān)高速,減小toff很重要
用于OFF晶體管的時間莎。toff比用于ON的時間ton要長,而且根據(jù)驅(qū)動基極的條件變化很大,這在高速開關(guān)電路中必需注意。
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