基于bq24161+TPS2419雙電池供電方案設計

下面先來分析討論一下主電通路TPS2419電路的設計，如圖4所示。

TPS2419的A、C引腳電壓檢測輸入引腳，用來檢測外部MOSFET上的壓降，分別連接MOSFET的源極和漏極，分別連接470nF的去耦電容。對于MOSFET的選擇要考慮電壓等級、Rdson、尺寸、驅動電壓等級以及成本等因素。本設計中采用CSD16412Q5A型N-MOSFET,其VDS電壓等級為25V,RDS(on)只有13mΩ。為了最大程度減小對TPS2419內部電源的干擾，BYP引腳需要連接一個2.2nF的去耦電容。GATE引腳提供外部MOSFET的柵極驅動信號，其強健的驅動能力可以使得TPS2419在100-200ns的時間里迅速的關斷外部MOSFET,為了防止過快的電流變化對電路的影響，需要GATE引腳與MOSFET的柵極之間串聯(lián)一個10Ω~200Ω的電阻，本設計中選取30Ω電阻R13.RSET引腳是用力設置MOSFET的關斷門檻，如下式：

負的關斷門檻可以防止由于總線上噪聲引起的誤關斷動作，但也會造成大的反向電流;正的關斷門檻可以防止或減小反向電流，但是對噪聲的敏感度高，易在輕載時不斷關斷、重起。由于本設計是針對電池的應用，輸入電源噪聲很小，另外負載電流不太大，為了盡量防止反向電流引起的電池之間互充，可以設置關斷門檻為0mV,因此取

EN引腳為TPS2419的使能控制，為了最大限度的減小系統(tǒng)待機時候的靜態(tài)電流，當系統(tǒng)處于待機條件下OREN1信號拉低，TPS2419處于不使能狀態(tài)，靜態(tài)電流可以維持在最小，此時系統(tǒng)的供電經(jīng)過肖特基二極管D2來提供。

圖5是備電通路TPS2419電路的設計。

備電池通路與主電池通路TPS2419電路設計基本相同，只是MOSFET管的設計稍有區(qū)別。對于相同部分的電流這里不再贅述，只對MOSFET部分進行分析討論。如果在應用中需要關斷備電池的放電，如果選用單MOSFET的設計，當OREN2設置TPS2419處于不使能狀態(tài)時，如果備電池電壓高于VSYS時，電流就會從外部MOSFET的體二極管流向VSYS,從而不能斷開備電的放電，因此這里需要采用對管的結構，這樣就可以完全切斷備電放電的通路。

2.4 實驗結果分析

測試電路在靜態(tài)負載以及動態(tài)負載不同負載條件下，系統(tǒng)供電電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS與VBAT2_SYS之間是否相互影響：

1) 備電不在位，主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS條件下插入備電。過程中不存在主電、備電切換供電過程，測試VSYS電壓的穩(wěn)定性以及備電對主電通路的影響;

2) 備電不在位，主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS=“” p=“”>

3) 備電在位，主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS,拔出備電。過程中不存在主電、備電切換供電過程，測試VSYS的穩(wěn)定性以及備電對主電通路的影響;

4) 備電在位，備電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS=“” p=“”>

下面分為靜態(tài)負載電流以及動態(tài)負載電流兩種情況，在不同工作條件下測試系統(tǒng)電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS與VBAT2_SYS之間是否相互影響，其中：CH1-VSYS,CH2-VBAT1_SYS,CH3-VBAT2_SYS,CH4-ISYS.

1) 持續(xù)負載電流條件下測試

測試方法：VSYS系統(tǒng)供電端上加恒定3A靜態(tài)電流負載，在主電、備電供電條件下，測試備電插入、拔出過程中VSYS電壓的穩(wěn)定性和穩(wěn)定性。

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