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新一代HBM來了！NVIDIA主導(dǎo)開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM：可拆卸升級 成人中指大小

  • 2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內(nèi)的主要內(nèi)存半導(dǎo)體公司進(jìn)行秘密談判，合作開發(fā)新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內(nèi)人士證實了這一消息。此舉標(biāo)志著內(nèi)存半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，對B2B服務(wù)器市場和蓬勃發(fā)展的設(shè)備端AI領(lǐng)域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內(nèi)存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內(nèi)存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠

  • Micron Technology 已開始在新加坡建設(shè)其價值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預(yù)計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設(shè)施將于 2026 年開始運營。美光的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設(shè)施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設(shè)施將使用先進(jìn)的人工智能驅(qū)動的自動化來
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HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)展望：2024年及以后

  • HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)是即將到來的“內(nèi)存內(nèi)計算/處理”時代的一種“近內(nèi)存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機器學(xué)習(xí)的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內(nèi)存制造商正在HBM技術(shù)的開發(fā)上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內(nèi)存。因此，對于內(nèi)存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

  • 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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Marvell 推出定制 HBM 計算架構(gòu)：XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強

  • 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當(dāng)?shù)貢r間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構(gòu)”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現(xiàn)更高的計算和內(nèi)存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術(shù)對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內(nèi)存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構(gòu)”采用了非行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 HBM I/O 接口設(shè)計，可帶來更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
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三星擴(kuò)大高帶寬存儲器封裝產(chǎn)能

  • 據(jù)外媒報道，三星正在擴(kuò)大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產(chǎn)能，主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求，下一代高帶寬存儲器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過提升封裝能力，確保他們未來的技術(shù)競爭力，并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距?！?蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠，業(yè)內(nèi)人士透露他們在三季度已同相關(guān)廠商簽署了設(shè)備采購協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴(kuò)大工廠的產(chǎn)能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴(kuò)大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議，計劃在韓國天安市新建一座專門
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如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？

  • 任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

  • 獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達(dá)到17.6萬億韓元，而市場預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價累計上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對三星電子(S
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對手。同時，SK 海力
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HBM對DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升

  • TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴(kuò)張，營收貢獻(xiàn)將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

  • 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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HBM外另一大關(guān)注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

  • 隨著GDDR7存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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HBM 帶動，三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（IT之家注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾?！?圖源 IDC報告表示，數(shù)據(jù)中心對 AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升，其中對 HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升，使總體內(nèi)存市場營收大幅成長。此外終端設(shè)備市場回穩(wěn)，AI PC、智能手機逐步發(fā)售，同樣提升
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計價格會有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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