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太陽能電池板原理_太陽能電池的工作原理

作者: 時間:2013-04-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

隨著全球能源日趨緊張,太陽能成為新型能源得到了大力的開發(fā),其中我們在生活中使用最多的就是太陽能電池了。太陽能電池是以半導(dǎo)體材料為主,利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換,使它產(chǎn)生電流,那么太陽能電池的工作原理是怎么樣的呢?太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。當(dāng)太陽光照射到半導(dǎo)體上時,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半導(dǎo)體吸收或透過。被吸收的光,當(dāng)然有一些變成熱,另一些光子則同組成半導(dǎo)體的原子價電子碰撞,于是產(chǎn)生電子—空穴對。這樣,光能就以產(chǎn)生電子—空穴對的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋?/p>本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/175350.htm

一、太陽能電池的物理基礎(chǔ)

當(dāng)太陽光照射p-n結(jié)時,在半導(dǎo)體內(nèi)的電子由于獲得了光能而釋放電子,相應(yīng)地便產(chǎn)生了電 子——空穴對,并在勢壘電場的作用下,電子被驅(qū)向型區(qū),空穴被驅(qū)向P型區(qū),從而使凡區(qū)有過剩的 電子,P區(qū)有過剩的空穴。于是,就在p-n結(jié)的附近形成了與勢壘電場方向相反的光生電場。

如果半導(dǎo)體內(nèi)存在P—N結(jié),則在P型和N型交界面兩邊形成勢壘電場,能將電子驅(qū)向N區(qū),空穴驅(qū)向P區(qū),從而使得N區(qū)有過剩的電子,P區(qū)有過剩的空穴,在P—N結(jié)附近形成與勢壘電場方向相反光的生電場。

制造太陽電池的半導(dǎo)體材料已知的有十幾種,因此太陽電池的種類也很多。目前,技術(shù)最成熟,并具有商業(yè)價值的太陽電池要算硅太陽電池。下面我們以硅太陽能電池為例,詳細(xì)介紹太陽能電池的工作原理。

1、本征半導(dǎo)體

物質(zhì)的導(dǎo)電性能決定于原子結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體一般為低價元素,它們的最外層電子極易掙脫原子核的束縛成為自由電子,在外電場的作用下產(chǎn)生定向移動,形成電流。高價元素(如惰性氣體)或高分子物質(zhì)(如橡膠),它們的最外層電子受原子核束縛力很強(qiáng),很難成為自由電子,所以導(dǎo)電性極差,成為絕緣體。常用的半導(dǎo)體材料硅(Si)和鍺(Ge)均為四價元素,它們的最外層電子既不像導(dǎo)體那么容易掙脫原子核的束縛,也不像絕緣體那樣被原子核束縛的那么緊,因而其導(dǎo)電性介于二者之間。

將純凈的半導(dǎo)體經(jīng)過一定的工藝過程制成單晶體, 即為本征半導(dǎo)體。晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣,相鄰的原子 形成共價鍵。

晶體中的共價鍵具有極強(qiáng)的結(jié)合力,因此,在常溫下,僅有極少數(shù)的價電子由于熱運動(熱激發(fā))獲得足夠的能量,從而掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。與此同時,在共價鍵中留下一個空穴。原子因失掉一個價電子而帶正電,或者說空穴帶正電。在本征半導(dǎo)體中,自由電子與空穴是成對出現(xiàn)的,即自由電子與空穴數(shù)目相等。

自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補(bǔ)空穴,使兩者同時消失,這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。在一定的溫度下,本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對,與復(fù)合的自由電子和空穴對數(shù)目相等,故達(dá)到動態(tài)平衡。

能帶理論:

1、單個原子中的電子在繞核運動時,在各個軌道上的電子都各自具有特定的能量;

2、越靠近核的軌道,電子能量越低;

3、根據(jù)能量最小原理電子總是優(yōu)先占有最低能級;

4、價電子所占據(jù)的能帶稱為價帶;

5、價帶的上面有一個禁帶,禁帶中不存在為電子所占據(jù)的能級;

6、禁帶之上則為導(dǎo)帶,導(dǎo)帶中的能級就是價電子掙脫共價鍵束縛而成為自由電子所能占據(jù)的能級;

7、禁帶寬度用Eg表示,其值與半導(dǎo)體的材料及其所處的溫度等因素有關(guān)。T=300K時,硅的Eg=1.1eV;鍺的Eg=0.72eV。

2、雜質(zhì)半導(dǎo)體

雜質(zhì)半導(dǎo)體:通過擴(kuò)散工藝,在本征半導(dǎo)體中摻入少量雜質(zhì)元素,便可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。

按摻入的雜質(zhì)元素不用,可形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體;控制摻入雜質(zhì)元素的濃度,就可控制雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。

N型半導(dǎo)體: 在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。

由于雜質(zhì)原子的最外層有五個價電子,所以除了與其周圍硅原子形成共價鍵外,還多出一個電子。多出的電子不受共價鍵的束縛,成為自由電子。N型半導(dǎo)體中,自由電子的濃度大于空穴的濃度,故稱自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。由于雜質(zhì)原子可以提供電子,故稱之為施主原子。

P型半導(dǎo)體:在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半導(dǎo)體。

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