羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控超低IR肖特基勢壘二極管
21ic訊 羅姆近日面向車載、電源設備,開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比,可降低約40%的功耗,非常有助于電動車(EV)和混合動力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/176845.htm本產品已從1月份開始銷售樣品(樣品價格50~200日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規(guī)模進行量產。關于生產基地,前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation(韓國)進行。
高溫環(huán)境下使用的車載、電源設備的電路中,由于擔心熱失控,因此普遍采用整流二極管和快速恢復二極管(FRD)。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高,因此很難實現EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下,VF值較低的肖特基勢壘二極管(SBD)在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產品的開發(fā)需求逐年高漲。
此次,羅姆通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬,實現了業(yè)界頂級低IR化。與傳統(tǒng)的SBD相比,IR降低到約1/100,使高溫環(huán)境下的使用成為可能。
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