直流與反向供電通道的保護(hù)及其集成方案
圖3所示為集成解決方案的細(xì)節(jié)框圖,由于采用的是背對背的N-MOS結(jié)構(gòu),通過第一個N-MOS(標(biāo)識1)的門極,可以防止浪涌電流進(jìn)入系統(tǒng)內(nèi)部,同時這個N-MOS也提供正向的過壓保護(hù)。
圖4 安森美OVP產(chǎn)品系列
背對背N-MOS結(jié)構(gòu)的另一個N-MOS(標(biāo)識2)提供-28V的過壓保護(hù)。之前采用的一般是P-MOS,但相對于P-MOS,N-MOS的導(dǎo)通電阻更低,使電池能夠工作在更低電壓下。同時N-MOS支持更大的電流,而且這個N-MOS還通過檢測電流來控制反向通道的浪涌電流,提供反向過流保護(hù)。
此外,方案還應(yīng)提供過流保護(hù)(標(biāo)識3),并且過流保護(hù)的電流值可以通過外部電阻設(shè)定。同時集成方案還要提供狀態(tài)標(biāo)記引腳(標(biāo)識4)以及邏輯控制引腳(標(biāo)識5),并控制芯片的工作模式。
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