新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 電阻電橋基礎:使用硅應變儀的高輸出信號電橋

電阻電橋基礎:使用硅應變儀的高輸出信號電橋

作者: 時間:2012-05-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

電橋

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/177123.htm
ee68.gif

圖1. 基本惠斯通電橋框圖

式1: Vo = Ve(R2/(R1 + R2) - R3/(R3 + R4))

式1看起來比較復雜,但對于大部分電橋應用可以簡化。當Vo+和Vo-等于Ve的1/2時,電橋的改變非常敏感。所有四個采用同樣的標稱值R,可以大大簡化上述公式。待測量引起的阻值變化由R的增量或dR表示。帶dR項的電阻稱為“有源”電阻。在下面四種情況下,所有電阻具有同樣的標稱值R,1個、2個或4個電阻為有源電阻或帶有dR項的電阻。推導這些公式時,dR假定為正值。如果實際阻值減小,則用-dR表示。在下列特殊情況下,所有有源電阻具有相同的dR值。

四個有源元件

第一種情況是所有四個電橋電阻都是有源元件,R2和R4的阻值隨著待測量的增大而增大,R1和R3的阻值則相應減小。這種情況常見于采用四個計的壓力檢測。施加壓力時,計的物理方向決定數(shù)值的增加或減少,式2給出了這種配置下可以得到的電壓(Vo)與電阻變化量(dR)的關系,呈線性關系。這種配置能夠提供最大的,值得注意的是:輸出電壓不僅與dR呈線性關系,還與dR/R呈線性關系。這一細微的差別非常重要,因為大部分傳感器單元的電阻變化與電阻的體積成正比。

式2: Vo = Ve(dR/R)帶四個有源元件的電橋

光敏電阻相關文章:光敏電阻工作原理



上一頁 1 2 3 4 5 下一頁

評論


技術專區(qū)

關閉