一種新光伏MPPT算法及硬件實(shí)現(xiàn)和實(shí)用性分析
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3 單管高邊NMOSFET驅(qū)動(dòng)電路
為保證硬件電路的穩(wěn)定性，實(shí)驗(yàn)采用IR2110芯片，搭建所需單管高邊NMOSFET驅(qū)動(dòng)電路，如圖3所示。圖中A，B兩點(diǎn)分別接被驅(qū)動(dòng)的NMOS FET的柵極和源極。驅(qū)動(dòng)電路基本工作機(jī)制是：①PWM為低電平時(shí)，HIN為低電平，HO與VS導(dǎo)通，VQ1，VQ3先后關(guān)斷，LIN為高電平，LO與Vcc導(dǎo)通，LO變?yōu)楦唠娖?，VQ2導(dǎo)通，將升壓電容C1的負(fù)極端接地，此時(shí)，直流電壓源12 V通過二極管VD1給C1充電；②PWM為高電平時(shí)，LO與COM導(dǎo)通，LO變?yōu)榈碗娖剑琕Q2關(guān)斷，而HO與VB導(dǎo)通，這使得C1的正負(fù)極直接連接在VQ3的柵極和源極上，VQ3導(dǎo)通，導(dǎo)致C1的正負(fù)極通過VQ3連接在被驅(qū)動(dòng)MOSFET VQ1的柵極和源極上，使VQ1導(dǎo)通。需要注意的是，即使由于VQ1導(dǎo)通導(dǎo)致B點(diǎn)的電壓升高，由于C1的作用，A，B兩點(diǎn)之間的電壓保持不變，保證了主電路NMOSFET的持續(xù)導(dǎo)通。
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