降低開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗的原理
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時(shí)間：2012-02-08
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EGATE=0.76nC×4.5V=3.4nJ
ET(rising)=((12V-5V)×0.5A×7ns)/2=12.25nJ
ET(falling)=((12V-5V)×0.5A×2.5ns)/2=4.3nJ
ECON=(0.5)2×300mW×1/(2×1MHz)=37.5nJ.
導(dǎo)通電阻的損耗仍然占主要地位，但是每周的總功耗僅57.45nJ。這就是說(shuō)，高RDSON（超過(guò)4倍）的MOSFET使總功耗減少了7%以上。如上所述，可以通過(guò)選擇導(dǎo)通電阻及其它MOSFET參數(shù)來(lái)提高SMPS的效率。
到目前為止，對(duì)低導(dǎo)通電阻MOSFET的需求并沒(méi)有改變。大功率的SMPS傾向于使用低開(kāi)關(guān)頻率，所以MOSFET的低導(dǎo)通電阻對(duì)提高效率非常關(guān)鍵。但對(duì)便攜設(shè)備，需要使用小體積的SMPS，此時(shí)的SMPS工作在較高的開(kāi)關(guān)頻率，可以用更小的電感和電容。延長(zhǎng)電池壽命必須提高SMPS效率，在高開(kāi)關(guān)頻率下，低導(dǎo)通電阻MOSFET未必是最佳選擇，需要在導(dǎo)通電阻、柵極電荷、柵極上升/下降時(shí)間等參數(shù)上進(jìn)行折中考慮。
評(píng)論