電源完整性設(shè)計(jì)1
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
，整個(gè)電容器表現(xiàn)為電容性，當(dāng)頻率很高時(shí)，
大于
，本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/177958.htm電容器此時(shí)表現(xiàn)為電感性，因此“高頻時(shí)電容不再是電容”，而呈現(xiàn)為電感。當(dāng)
時(shí)，
，此時(shí)容性阻抗矢量與感性阻抗之差為0，電容的總阻抗最小，表現(xiàn)為純電阻特性。該頻率點(diǎn)就是電容的自諧振頻率。自諧振頻率點(diǎn)是區(qū)分電容是容性還是感性的分界點(diǎn)，高于諧振頻率時(shí)，“電容不再是電容”，因此退耦作用將下降。因此，實(shí)際電容器都有一定的工作頻率范圍，只有在其工作頻率范圍內(nèi)，電容才具有很好的退耦作用，使用電容進(jìn)行電源退耦時(shí)要特別關(guān)注這一點(diǎn)。寄生電感（等效串聯(lián)電感）是電容器在高于自諧振頻率點(diǎn)之后退耦功能被消弱的根本原因。圖5顯示了一個(gè)實(shí)際的0805封裝0.1uF陶瓷電容，其阻抗隨頻率變化的曲線。
圖5 電容阻抗特性
電容的自諧振頻率值和它的電容值及等效串聯(lián)電感值有關(guān)，使用時(shí)可查看器件手冊(cè)，了解該項(xiàng)參數(shù)，確定電容的有效頻率范圍。下面列出了AVX生產(chǎn)的陶瓷電容不同封裝的各項(xiàng)參數(shù)值。
封裝 ESL（nH） ESR（歐姆）
0402 0.4 0.06
0603 0.5 0.098
0805 0.6 0.079
1206 1 0.12
1210 0.9 0.12
1812 1.4 0.203
2220 1.6 0.285
電容的等效串聯(lián)電感和生產(chǎn)工藝和封裝尺寸有關(guān)，同一個(gè)廠家的同種封裝尺寸的電容，其等效串聯(lián)電感基本相同。通常小封裝的電容等效串聯(lián)電感更低，寬體封裝的電容比窄體封裝的電容有更低的等效串聯(lián)電感。
評(píng)論