先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
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時(shí)間：2011-12-21
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
1.帶驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的分立式解決方案現(xiàn)在仍在普遍使用。為滿足所有設(shè)計(jì)要求,現(xiàn)在飛兆半導(dǎo)體提供的采用小尺寸熱性能增強(qiáng)型MLP(QFN) 封裝的產(chǎn)品,可獲得高系統(tǒng)性能。MOSFET實(shí)現(xiàn)了首先采用MLP封裝(見(jiàn)圖3所示)。其Power56和Power33產(chǎn)品系列采用最新的PowerTrench技術(shù),能夠同時(shí)提供超低RDSon 和低Qg,從而適用于高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用。鍵合技術(shù)可減小封裝的電感 ,提高封裝有限的ID ,適用于大電流應(yīng)用。其低端FET產(chǎn)品組合采用SyncFET集成了肖特基二極管 ,在實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)性能的同時(shí)降低了熱耗。
FDMS9600S在一個(gè)不對(duì)稱(chēng)的Power56封裝內(nèi)集成了一個(gè)高端FET和一個(gè)低端SyncFET,可進(jìn)一步提高熱性能,并實(shí)現(xiàn)小尺寸的緊湊型PCB設(shè)計(jì) (圖4)。
評(píng)論