開關(guān)電源的熱設(shè)計方法解析

開關(guān)電源已普遍運用在當前的各類電子設(shè)備上,其單位功率密度也在不斷地提高.高功率密度的定義從1991年的25w/in3、1994年36w/in3、1999年52w/in3、2001年96w/in3,目前已高達數(shù)百瓦每立方英寸.由于開關(guān)電源中使用了大量的大功率半導體器件,如整流橋堆、大電流整流管、大功率三極管或場效應(yīng)管等器件。它們工作時會產(chǎn)生大量的熱量,如果不能把這些熱量及時地排出并使之處于一個合理的水平將會影響開關(guān)電源的正常工作,嚴重時會損壞開關(guān)電源.為提高開關(guān)電源工作的可靠性,熱設(shè)計在開關(guān)電源設(shè)計中是必不可少的重要一個環(huán)節(jié)。

　　1.熱設(shè)計中常用的幾種方法

　　為了將發(fā)熱器件的熱量盡快地發(fā)散出去,一般從以下幾個方面進行考慮: 使用散熱器、冷卻風扇、金屬pcb、散熱膏等.在實際設(shè)計中要針對客戶的要求及最佳費/效比合理地將上述幾種方法綜合運用到電源的設(shè)計中。

　　2.半導體器件的散熱器設(shè)計

　　由于半導體器件所產(chǎn)生的熱量在開關(guān)電源中占主導地位,其熱量主要來源于半導體器件的開通、關(guān)斷及導通損耗.從電路拓撲方式上來講,采用零開關(guān)變換拓撲方式產(chǎn)生諧振使電路中的電壓或電流在過零時開通或關(guān)斷可最大限度地減少開關(guān)損耗但也無法徹底消除開關(guān)管的損耗故利用散熱器是常用及主要的方法.

　　2.1 散熱器的熱阻模型

　　由于散熱器是開關(guān)電源的重要部件,它的散熱效率高與低關(guān)系到開關(guān)電源的工作性能.散熱器通常采用銅或鋁,雖然銅的熱導率比鋁高2倍但其價格比鋁高得多,故目前采用鋁材料的情況較為普遍.通常來講,散熱器的表面積越大散熱效果越好.散熱器的熱阻模型及等效電路如上圖所示

　　半導體結(jié)溫公式如下式如示：

　　pcmax(ta)= (tjmax-ta)/θj-a　(w)　-----------------------(1)

　　pcmax(tc)= (tjmax-tc)/θj-c　(w)　-----------------------(2)

　　pc: 功率管工作時損耗

　　pc(max): 功率管的額定最大損耗

　　tj: 功率管節(jié)溫

　　tjmax: 功率管最大容許節(jié)溫

　　ta: 環(huán)境溫度

　　tc: 預定的工作環(huán)境溫度

　　θs : 絕緣墊熱阻抗

　　θc : 接觸熱阻抗(半導體和散熱器的接觸部分)

　　θf : 散熱器的熱阻抗(散熱器與空氣)

　　θi : 內(nèi)部熱阻抗(pn結(jié)接合部與外殼封裝)

　　θb : 外部熱阻抗(外殼封裝與空氣)

　　根據(jù)圖2熱阻等效回路, 全熱阻可寫為:

　　θj-a=θi+[θb *(θs +θc+θf)]/( θb +θs +θc+θf) ----------------(3)

　　又因為θb比θs +θc+θf大很多,故可近似為

　　θj-a=θi+θs +θc+θf ---------------------(4)

　?、賞n結(jié)與外部封裝間的熱阻抗(又叫內(nèi)部熱阻抗) θi是由半導體pn結(jié)構(gòu)造、所用材料、外部封裝內(nèi)的填充物直接相關(guān).每種半導體都有自身固有的熱阻抗.

　　②接觸熱阻抗θc是由半導體、封裝形式和散熱器的接觸面狀態(tài)所決定.接觸面的平坦度、粗糙度、接觸面積、安裝方式都會對它產(chǎn)生影響。當接觸面不平整、不光滑或接觸面緊固力不足時就會增大接觸熱阻抗θc。在半導體和散熱器之間涂上硅油可以增大接觸面積，排除接觸面之間的空氣而硅油本身又有良好的導熱性，可以大大降低接觸熱阻抗θc。

　　當前有一種新型的相變材料，專門設(shè)計用采取代硅油作為傳熱介面，在65℃（相變溫度）時從固體變?yōu)榱黧w，從而確保界面的完全潤濕，該材料的觸變特性避免其流到介面外。其傳熱效果與硅油相當，但沒有硅油帶來的污垢，環(huán)境污染和難于操作等缺點。用于不需要電氣絕緣的場合。典型應(yīng)用包括cpu散熱片，功率轉(zhuǎn)換模塊或者其它任何簧片固定的硅油應(yīng)用場合，它可涂布在鋁質(zhì)基材的兩面，可單面附膠，雙面附膠或不附膠。

　　③絕緣墊熱阻抗θs

　　絕緣墊是用于半導體器件和散熱器之間的絕緣.絕緣墊的熱阻抗θs取決于絕緣材料的材質(zhì)、厚度、面積。下表中列出幾種常用半導體封裝形式的θs+θc