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準(zhǔn)諧振反激式電源架構(gòu)及應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2011-08-29 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

低成本和高可靠性是離線設(shè)計(jì)中兩個(gè)最重要的目標(biāo)。準(zhǔn) (Quasi resonant) 設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)人員提供了可行的方法,以實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)目標(biāo)。準(zhǔn)技術(shù)降低了MOSFET的開關(guān)損耗,從而提高可靠性。此外,更軟的開關(guān)改善了的EMI特性,允許設(shè)計(jì)人員減少使用濾波器的數(shù)目,因而降低成本。本文將描述準(zhǔn)背后的理論及其實(shí)施,并說(shuō)明這類反激式的使用價(jià)值。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/178671.htm

  基本知識(shí)

  現(xiàn)有的L-C 儲(chǔ)能電路正戰(zhàn)略性地用于PWM電源中。結(jié)果是L-C 儲(chǔ)能電路的諧振效應(yīng)能夠“軟化”開關(guān)器件的轉(zhuǎn)換。這種更軟的轉(zhuǎn)換將降低開關(guān)損耗及與硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器相關(guān)的EMI。由于諧振電路僅在相當(dāng)于其它傳統(tǒng)方波轉(zhuǎn)換器的開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間才起作用,故而有 “準(zhǔn)諧振”之名。

  要理解這種設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),必須了解MOSFET和變壓器的寄生特性。MOSFET包含若干個(gè)寄生電容,主要從器件的物理結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。它們可以數(shù)學(xué)方式簡(jiǎn)化為MOSFET輸入電容CISS和MOSFET輸出電容COSS,這里

  CISS = CGS + CDG

  COSS = CDS + CDG

  在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中,輸出電容COSS是開關(guān)損耗的主要來(lái)源。

  

MOSFET輸入和輸出電容

  圖1 MOSFET輸入和輸出電容

  

  圖2 變壓器的寄生電容

  變壓器也包含了寄生電容(圖2)。這些電容包括繞組間電容和層間電容,它們可以一起轉(zhuǎn)型為單一的電容CW,也是硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗的主要來(lái)源。

  硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的寄生電容

  圖3示出傳統(tǒng)硬開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器。在這種傳統(tǒng)的間斷模式反激式轉(zhuǎn)換器 (DCM) 的停滯時(shí)間期間,寄生電容將與VDC周圍的主要電感發(fā)生振蕩。寄生電容上的電壓會(huì)隨振蕩而變化,但始終具有相當(dāng)大的數(shù)值。當(dāng)下一個(gè)時(shí)鐘周期的MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間開始時(shí),寄生電容 (COSS和CW) 會(huì)通過MOSFET放電,產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個(gè)電流出現(xiàn)時(shí)MOSFET存在一個(gè)很大的電壓,該電流尖峰因此會(huì)做成開關(guān)損耗。此外,電流尖峰含有大量的諧波含量,從而產(chǎn)生EMI。

  準(zhǔn)諧振反激式設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)

  如果不用固定的時(shí)鐘來(lái)初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測(cè)電路來(lái)有效地“感測(cè)”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,情況又會(huì)如何?結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)最小化。這情況常被稱為谷值開關(guān) (Valley Switching) 或準(zhǔn)諧振開關(guān)。在某些條件下,設(shè)計(jì)人員甚至可能獲得零電壓開關(guān) (ZVS),即當(dāng)MOSFET被激活時(shí)沒有漏源電壓。在這情況下,由于寄生電容沒有充電,因此電流尖峰不會(huì)出現(xiàn)。這種電源本身是由線路/荷載條件決定的可變頻率系統(tǒng)。換言之,調(diào)節(jié)是通過改變電源的工作頻率來(lái)進(jìn)行,不管當(dāng)時(shí)負(fù)載或線路電壓是多少,MOSFET始終保持在谷底的時(shí)候?qū)?。這類型的工作介于連續(xù) (CCM) 和間斷條件模式 (DCM) 之間。因此,以這種模式工作的轉(zhuǎn)換器被稱作在邊界條件模式 (BCM) 下工作。

  

  圖3 硬開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器

  

MOSFET漏-源電壓
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評(píng)論


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