智能同步整流控制IC-IR1166/7A-B
3.5 CCM關斷階段
在CCM模式時,關斷過程要陡峭得多,di/dt免不了會更高。導通階段對DCM及CRM是理想的,但此時不能重復。在同步整流MOSFET導通階段,電流將線性地衰減,因此同步整流MOSFET的VDS將升上來。一旦初級開關開始返回導通狀態(tài)。同步整流MOSFET的電流會迅速減小,其壓降跨過VTH閾值而關斷,具體見圖5。本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/178709.htm
關斷速度較臨界,為防止初級的交叉導通,并減少開關損耗,此時要一段消隱時間加入,但此階段要給出非常快的動作速度,隨著VDS達到VTH3迅速復位。
圖6給出二次側(cè)的DCM、CRM和CCM的工作波形。圖7給出最大允許的VCC電壓和不同負載的最高開關頻率關系。
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