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為什么選擇旁路電容很重要

作者: 時(shí)間:2011-05-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


2 輸入
在VIN和GND之間連接一個(gè)1μF可以降低電路對PCB布局的敏感性,特別是在長輸入走線或高信號源阻抗的情況下。如果輸出端上要求使用1μF以上的,則應(yīng)增加輸入電容,使之與輸出電容匹配。


3 輸入和輸出電容特性
輸入和輸出電容必須滿足預(yù)期工作溫度和工作電壓下的最小電容要求。陶瓷電容可采用各種各樣的電介質(zhì)制造,溫度和電壓不同,其特性也不相同。對于5V應(yīng)用,建議采用電壓額定值為6.3~10V的X5R或X7R電介質(zhì)。Y5V和Z5U電介質(zhì)的溫度和直流偏置特性不佳,因此不適合與LDO一起使用。


圖4所示為采用0402封裝的1μF、10V X5R電容與偏置電壓之間的關(guān)系。電容的封裝尺寸和電壓額定值對其電壓穩(wěn)定性影響極大。一般而言,封裝尺寸越大或電壓額定值越高,電壓穩(wěn)定性也就越好。X5R電介質(zhì)的溫度變化率在-40~+85℃溫度范圍內(nèi)為±15%,與封裝或電壓額定值沒有函數(shù)關(guān)系。

圖4 電容與電壓的特性關(guān)系


要確定溫度、元件容差和電壓范圍內(nèi)的最差情況下電容,可用溫度變化率和容差來調(diào)整標(biāo)稱電容,見公式1。
CEFF=CBIAS×(1-TVAR)×(1-TOL) (1)
其中,CBIAS是工作電壓下的標(biāo)稱電容;TVAR是溫度范圍內(nèi)最差情況下的電容變化率(百分率);TOL是最差情況下的元件容差(百分率)。
本例中,X5R電介質(zhì)在–40~+85℃范圍內(nèi)的TVAR為15%;TOL為10%;CBIAS在1.8 V時(shí)為0.94μF,如圖4所示。將這些值代入公式1,即可得出:
CEFF=0.94μF×(1-0.15)×(1-0.1)=0.719μF
在工作電壓和溫度范圍內(nèi),ADP151的最小輸出電容額定值為0.70μF,因而此電容符合該項(xiàng)要求。


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