為什么選擇旁路電容很重要

2 輸入旁路電容
在VIN和GND之間連接一個1μF電容可以降低電路對PCB布局的敏感性，特別是在長輸入走線或高信號源阻抗的情況下。如果輸出端上要求使用1μF以上的電容，則應增加輸入電容，使之與輸出電容匹配。

3 輸入和輸出電容特性
輸入和輸出電容必須滿足預期工作溫度和工作電壓下的最小電容要求。陶瓷電容可采用各種各樣的電介質(zhì)制造，溫度和電壓不同，其特性也不相同。對于5V應用，建議采用電壓額定值為6.3～10V的X5R或X7R電介質(zhì)。Y5V和Z5U電介質(zhì)的溫度和直流偏置特性不佳，因此不適合與LDO一起使用。

圖4所示為采用0402封裝的1μF、10V X5R電容與偏置電壓之間的關系。電容的封裝尺寸和電壓額定值對其電壓穩(wěn)定性影響極大。一般而言，封裝尺寸越大或電壓額定值越高，電壓穩(wěn)定性也就越好。X5R電介質(zhì)的溫度變化率在-40～+85℃溫度范圍內(nèi)為±15%，與封裝或電壓額定值沒有函數(shù)關系。

圖4 電容與電壓的特性關系

要確定溫度、元件容差和電壓范圍內(nèi)的最差情況下電容，可用溫度變化率和容差來調(diào)整標稱電容，見公式1。
CEFF=CBIAS×(1-TVAR)×(1-TOL) (1)
其中，CBIAS是工作電壓下的標稱電容；TVAR是溫度范圍內(nèi)最差情況下的電容變化率（百分率）；TOL是最差情況下的元件容差（百分率）。
本例中，X5R電介質(zhì)在–40～+85℃范圍內(nèi)的TVAR為15%；TOL為10%；CBIAS在1.8 V時為0.94μF，如圖4所示。將這些值代入公式1，即可得出：
CEFF=0.94μF×(1-0.15)×(1-0.1)=0.719μF
在工作電壓和溫度范圍內(nèi)，ADP151的最小輸出旁路電容額定值為0.70μF，因而此電容符合該項要求。