用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

表1 幾種封裝的對比

　　基于所有上述特性，PQFN5×6銅片封裝具有與DirectFET封裝(未使用頂部冷卻)相似的性能，這實現(xiàn)了性能的大幅提升，同時能利用最新硅技術(shù)實現(xiàn)其所有的優(yōu)勢。在通常采用多個并聯(lián)SO-8 MOSFET的設(shè)計中，PQFN 5×6銅片技術(shù)可用單個器件代替兩個或更多傳統(tǒng)器件，從而簡化設(shè)計并提高可靠性。利用單個器件取代多個器件對于尺寸嚴(yán)格受限的電源(如1/2磚或更小尺寸的電源模塊)而言同樣是一大優(yōu)勢。例如，圖4顯示了現(xiàn)有磚型電源的次級同步整流效率曲線。這是一種通用設(shè)計，次級的每個腳采用兩個并聯(lián)MOSFET。利用IR公司提供的PQFN器件，我們可以用單個低導(dǎo)通電阻PQFN取代2個并聯(lián)MOSFET，并實現(xiàn)更優(yōu)的全負(fù)荷效率。

圖4 IR的PQFN器件在次級整流應(yīng)用中比競爭器件表現(xiàn)更好

　　本文小結(jié)

　　對更高能效、更高功率密度和更高可靠性的要求是并將一直是電源設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)。同樣，增強型封裝技術(shù)對于實現(xiàn)這些改進(jìn)也至關(guān)重要。PQFN技術(shù)提供了一個靈活開放的封裝平臺，能為那些著眼于SO-8性能水平以上的設(shè)計人員提供所需的改進(jìn)。當(dāng)利用經(jīng)優(yōu)化的銅片結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良之后，PQFN 5×6封裝可提供近似于DirectFET(無需頂部冷卻)等高性能專有封裝技術(shù)的性能，不過DirectFET的能效和功率密度仍然最高。