一種有源箝位Flyback軟開關(guān)電路設(shè)計(jì)
摘要:介紹了一種有源箝位Flyback變換器ZVS實(shí)現(xiàn)方法,并對其軟開關(guān)參數(shù)重新設(shè)計(jì)。該方案不但能實(shí)現(xiàn)主輔開關(guān)管的ZVS,限制輸出整流二極管關(guān)斷時(shí)的di/dt,減小整流二極管的開關(guān)損耗,同時(shí)也有效地降低了開關(guān)管的電壓應(yīng)力。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/179637.htm關(guān)鍵詞:零電壓開關(guān);電流反向;有源箝位
0引言
Flyback變換器由于其電路簡單,在小功率場合被普遍采用。但是,由于變壓器漏感的存在,引起開關(guān)管上過高的電壓應(yīng)力。普通的RCD嵌位Flyback變換器其漏感能量消耗在嵌位電阻R上,開關(guān)管上電壓應(yīng)力的大小取決于消耗在嵌位電阻上能量的大小。消耗在嵌位電阻上的能量越多,開關(guān)管的電壓應(yīng)力就越低,但也影響了整個(gè)變換器的效率,因此,普通的RCD嵌位Flyback變換器總存在著開關(guān)管電壓應(yīng)力與整個(gè)變換器效率之間的矛盾。
輕小化是目前電源產(chǎn)品追求的目標(biāo)。而提高開關(guān)頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是,開關(guān)頻率提高的瓶頸是開關(guān)器件的開關(guān)損耗,于是軟開關(guān)技術(shù)就應(yīng)運(yùn)而生。一般,要實(shí)現(xiàn)比較理想的軟開關(guān)效果,都需要有一個(gè)或一個(gè)以上的輔助開關(guān)為主開關(guān)創(chuàng)造軟開關(guān)的條件,同時(shí)希望輔助開關(guān)本身也能實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)。
本文介紹的一種有源嵌位Flyback軟開關(guān)電路,不但能實(shí)現(xiàn)ZVS,而且也解決了前述的普通RCD嵌位Flyback變換器中存在的問題。
1 工作原理
電路如圖1所示,其兩個(gè)開關(guān)S1及S2互補(bǔ)導(dǎo)通,中間有一定的死區(qū)以防止共態(tài)導(dǎo)通。變壓器激磁電感Lm設(shè)計(jì)得較大,使電路工作在電流連續(xù)模式(CCM),如圖2的iLm波形所示。而電感Lr設(shè)計(jì)得較?。?i>LrLm),使流過Lr的電流在一個(gè)周期內(nèi)可以反向,如圖2的iLr波形所示??紤]到開關(guān)的結(jié)電容以及死區(qū)時(shí)間,一個(gè)周期可以分為8個(gè)階段,各個(gè)階段的等效電路如圖3所示。其工作原理如下。
圖1 有源箝位Flyback變換器
圖2 主要工作波形
(a)Stage1[t0,t1] (b)Stage2[t1,t2] (c)Stage3[t2,t3]
(d)Stage4[t3,t4] (e)Stage5[t4,t5] (f)Stage6[t5,t6]
(g)Stage7[t6,t7] (h)Stage8[t7,t8]
圖3 各階段等效電路
1)階段1〔t0,t1〕 該階段S1導(dǎo)通,Lm與Lr串聯(lián)承受輸入電壓,流過Lm及Lr的電流線性上升。
V2=Vin(1)
由于LrLm,所以式(1)可簡化為
V2≈Vin(2)
2)階段2〔t1,t2〕 t1時(shí)刻S1關(guān)斷,Lm及Lr上的電流給S1的輸出結(jié)電容Cr1充電,同時(shí)使S2的輸出結(jié)電容Cr2放電。t2時(shí)刻S2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。
3)階段3〔t2,t3〕 當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導(dǎo)通,將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài)。Lr和Lm串聯(lián)與嵌位電容Cclamp諧振,Cclamp上電壓vc緩慢上升,v2上電壓也緩慢上升。
v2=vc(3)
4)階段4〔t3,t4〕 t3時(shí)刻S2的門極變?yōu)楦唠娖?,S2零電壓開通。流過寄生二極管的電流流經(jīng)S2。此時(shí)間段依然維持Lr和Lm串聯(lián)與嵌位電容Cclamp諧振,v2緩慢上升。
5)階段5〔t4,t5〕 t4時(shí)刻v2上升到一定的電壓使副邊二極管D導(dǎo)通,v2被嵌位在-NVo。Lr與Cclamp諧振。在保證t5時(shí)刻Lr電流反向的情況下,其諧振周期應(yīng)該滿足
(4)
式中:toff為主開關(guān)管S1一個(gè)周期內(nèi)的關(guān)斷時(shí)間。
t5時(shí)刻S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。
6)階段6〔t5,t6〕 t5時(shí)刻Lr上的電流方向?yàn)樨?fù),此電流一部分使S1的輸出結(jié)電容Cr1放電,另一部分對S2的輸出結(jié)電容Cr2充電。t6時(shí)刻S1的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。
7)階段7〔t6,t7〕 當(dāng)S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管就導(dǎo)通,將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就為S1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。此時(shí),Lr上的承受電壓v1為
v1=Vin+NVo(5)
Lr上電流快速上升。流過副邊整流二極管D電流iD則快速下降。
=-N(6)
考慮到LrLm,式(6)可簡化為
=-N(7)
8)階段8〔t7,t8〕 t7時(shí)刻S1的門極變?yōu)楦唠娖剑琒1零電壓開通,流過寄生二極管的電流流經(jīng)S1。t8時(shí)刻副邊整流二極管D電流下降到零,D自然關(guān)斷,電路開始進(jìn)入下一個(gè)周期。
可以看到,在這種方案下,兩個(gè)開關(guān)S1和S2實(shí)現(xiàn)了零電壓開通,二極管D自然關(guān)斷。
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