Boost電路的一種軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方法
在這種情況下,一個(gè)周期可以分為6個(gè)階段,各個(gè)階段的等效電路如圖5所示。其工作原理描述如下。
1)階段1〔t0~t1〕 該階段,S1導(dǎo)通,L上承受輸入電壓,L上的電流正向線性增加,從負(fù)值變?yōu)檎?。?i>t1時(shí)刻,S1關(guān)斷,該階段結(jié)束。
2)階段2〔t1~t2〕 S1關(guān)斷后,電感電流為正,對(duì)S1的結(jié)電容進(jìn)行充電,使S2的結(jié)電容放電,S2的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降。直到S2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。
3)階段3〔t2~t3〕 當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后,S2的寄生二極管就導(dǎo)通,將S2的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就是為S2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。
4)階段4〔t3~t4〕 S2的門極變?yōu)楦唠娖?,S2零電壓開通。電感L上的電流又流過S2。L上承受輸出電壓和輸入電壓之差,電流線性減小,直到變?yōu)樨?fù)值,然后S2關(guān)斷,該階段結(jié)束。
5)階段5〔t4~t5〕此時(shí)電感L上的電流方向?yàn)樨?fù),正好可以使S1的結(jié)電容進(jìn)行放電,對(duì)S2的結(jié)電容進(jìn)行充電。S1的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降。直到S1的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。
6)階段6〔t5~t6〕當(dāng)S1的漏源電壓下降到零之后,S1的寄生二極管就導(dǎo)通,將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài),也就是為S1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。
(a)Stagel[t0,t1](b)Stage2[t1,t2]
(c)Stage3[t2,t3](d)Stage4[t3,t4]
(e)Stage5[t4,t5](f)Stage6[t5,t6]
圖5 電感電流不反向時(shí)各階段等效電路
接著S1在零電壓條件下導(dǎo)通,進(jìn)入下一個(gè)周期。可以看到,在這種方案下,兩個(gè)開關(guān)S1和S2都可以實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)。
2 軟開關(guān)的參數(shù)設(shè)計(jì)
以上用同步整流加電感電流反向的辦法來實(shí)現(xiàn)Boost電路的軟開關(guān),其中兩個(gè)開關(guān)實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的難易程度并不相同。電感電流的峰峰值可以表示為
ΔI=(VinDT)/L(1)
式中:D為占空比;
T為開關(guān)周期。
所以,電感上電流的最大值和最小值可以表示為
Imax=ΔI/2+Io(2)
Imin=ΔI/2-Io(3)
式中:Io為輸出電流。
將式(1)代入式(2)和式(3)可得
Imax=(VinDT)/2L+Io(4)
Imin=(VinDT)/2L-Io(5)
從上面的原理分析中可以看到S1的軟開關(guān)條件是由Imin對(duì)S2的結(jié)電容充電,使S1的結(jié)電容放電實(shí)現(xiàn)的;而S2的軟開關(guān)條件是由Imax對(duì)S1的結(jié)電容充電,使S2的結(jié)電容放電實(shí)現(xiàn)的。另外,通常滿載情況下|Imax|>>|Imin|。所以,S1和S2的軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)難易程度也不同,S1要比S2難得多。這里將S1稱為弱管,S2稱為強(qiáng)管。
強(qiáng)管S2的軟開關(guān)極限條件為L和S1的結(jié)電容C1和S2的結(jié)電容C2諧振,能讓C2上電壓諧振到零的條件,可表示為式(6)。
C2Vo2+C1Vo2(=)LImax2(6)
將式(4)代入式(6)可得
C2Vo2+C1Vo2(=)L(7)
實(shí)際上,式(7)非常容易滿足,而死區(qū)時(shí)間也不可能非常大,因此,可以近似認(rèn)為在死區(qū)時(shí)間內(nèi)電感L上的電流保持不變,即為一個(gè)恒流源在對(duì)S2的結(jié)電容充電,使S1的結(jié)電容放電。在這種情況下的ZVS條件稱為寬裕條件,表達(dá)式為式(8)。
(C2+C1)Vo(=)tdead2(8)
式中:tdead2為S2開通前的死區(qū)時(shí)間。
同理,弱管S1的軟開關(guān)寬裕條件為
(C1+C2)Vo(=)tdead1(9)
式中:tdead1為S1開通前的死區(qū)時(shí)間。
評(píng)論