電源設計調試過程中的異?，F(xiàn)象分析

項目：UCC3895電流型控制移相控制全橋，加倍流整流

現(xiàn)象：變壓器出現(xiàn)偏磁

解決辦法：把次級功率電路的一根PCB功率走線加粗。該PCB走線連接的是倍流整流電路的某一個電感。偏磁消失~~~~

分析：倍流整流電路有個特有的問題，就是兩個電感上的平均電流會不一致，如果采用電流型控制的話，控制信號會保證變壓器初級的正負電流峰值相同，那么如果變壓器次級的正負電流不一致的話，就會導致偏磁出現(xiàn)。

而電感平均電流不一致，是因為兩個電感的直流阻抗有差異。但實際上，同一批地電感，差別沒那么大，反而連接這些電感的PCB走線差異比較大，導致兩個電感的實際直流電阻（加上PCB走線的電阻）差異比較大。

項目：431加光藕反饋反激

現(xiàn)象：輸出電壓調整率很差，電壓隨負載的增大明顯下降。測量電壓采樣點和輸出腳的電壓差并不大。

解決辦法：在431的基準腳，和陰極之間并一個小電容。調整率立馬變好。

分析：431的基準腳處受到干擾。

項目：IR1150 boost PFC

現(xiàn)象：開關頻率為100K,但是輸入居然有1Khz 紋波電流。X電容還吱吱叫。

解決辦法：調整EMI濾波器參數(shù)。

分析：EMI濾波器自己諧振。

項目：反激同步整流

現(xiàn)象：同步整流管的電壓尖峰非常高，怎么吸收都不行。

解決辦法：把同步管換成，具有快恢復體二極管的管子

分析：由于同步管的體二極管的反向恢復時間太長，導致很大的反向恢復電流。從而引起劇烈電壓尖峰。

項目：IR1150 PFC

現(xiàn)象：高溫測試的時候，MOSFET的殼溫才80度，就炸雞了。先前幾臺，MOS的殼溫到達110度，都安然無事。

解決辦法：弄出來查原因，是驅動電阻焊錯了，本來10R,結果焊成100R.

分析：驅動電阻太大導致MOS損耗很大，同樣的結到殼熱阻，大的功耗會導致大的溫差。雖然殼溫才80度，但實際結溫已經超過了MOS的承受范圍。

項目：L4981 PFC

現(xiàn)象：空載上電，驅動亂的不得了，震蕩頻率明顯變化。輸入電壓越高越厲害。開始以為，地線沒布好，PCB割了又割，都是不能解決。

解決辦法：仔細察了一下PCB ,發(fā)現(xiàn)有一根功率線立離控制電路比較近，該功率線連接的是MOSFET的D極。把該功率線隔斷，讓功率電流從遠離控制電路的地方繞過去，沒用。把靠近控制電路的PCB銅線弄成孤島，使之成為死銅，干擾消失。

分析：電場干擾，MOS的D極是dv/dt很大的地方，產生很大的共模干擾。所以控制電路要盡量遠離這個點。