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Flyback的次級(jí)側(cè)整流二極管的RC尖峰吸收問(wèn)題

作者: 時(shí)間:2010-09-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

 在討論側(cè),在處理此類上此處用D會(huì)比用 效果更好,用RCD吸收,其電壓可以壓得更低(合理的參數(shù)搭配,可以完全吸收,幾乎看不到尖峰電壓),而且吸收損耗也更小。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/180482.htm

  


  

  電壓波形(RC吸收)

  

  整流電壓波形(RCD吸收)

  從這兩張仿真圖看來(lái),其吸收效果相當(dāng),如不考慮二極管開(kāi)通時(shí)高壓降,可以認(rèn)為吸收已經(jīng)完全。

  試驗(yàn)過(guò)后,你應(yīng)該會(huì)很驚喜,二極管可以采用貼片的(快速開(kāi)關(guān)二極管,如果參數(shù)合適,1N4148不錯(cuò)),電阻電容都可以用貼片的。

  此處的RCD吸收設(shè)計(jì),可以這樣認(rèn)為:為了吸收振蕩尖峰,C應(yīng)該有足夠的容值,已便在吸收尖峰能量后,電容上的電壓不會(huì)太高,為了平衡電容上的能量,電阻R需將存儲(chǔ)在電容C中的漏感能量消耗掉,所以理想的參數(shù)搭配,是電阻消耗的能量剛好等于漏感尖峰中的能量(此時(shí)電容C端電壓剛好等于Uin/N+Uo),因?yàn)槁└屑夥迥芰坑泻芏嗖淮_定因素,計(jì)算法很難湊效,所以下面介紹一種實(shí)驗(yàn)方法來(lái)設(shè)計(jì)

  1.選一個(gè)大些的電容(如100nF)做電容C,D選取一個(gè)夠耐壓>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢復(fù)二極管(如1N4148);

  2.可以選一個(gè)較小的電阻10K,1W電阻做吸收的R;

  3.逐漸加大負(fù)載,并觀察電容C端電壓與整流管尖峰電壓:

  如C上電壓紋波大于平均值的20%,需加大C值;

  如滿載時(shí),C端電壓高于Uin/N+Uo太多(20%以上,根據(jù)整流管耐壓而定),說(shuō)明吸收太弱,需減小電阻R;

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