為節(jié)能式電源選擇正確的拓?fù)?/h1>
世界各地有關(guān)降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議,正促使單相交流輸入電源設(shè)計(jì)人員采用更先進(jìn)的電源技術(shù)。為了獲得更高的功率級(jí),這些倡議要求效率達(dá)到87% 及以上。由于標(biāo)準(zhǔn)反激式 (flyback) 和雙開(kāi)關(guān)正激式等傳統(tǒng)電源http://m.butianyuan.cn/article/180874.htm
工作原理
世界各地有關(guān)降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議,正促使單相交流輸入電源設(shè)計(jì)人員采用更先進(jìn)的電源技術(shù)。為了獲得更高的功率級(jí),這些倡議要求效率達(dá)到87% 及以上。由于標(biāo)準(zhǔn)反激式 (flyback) 和雙開(kāi)關(guān)正激式等傳統(tǒng)電源http://m.butianyuan.cn/article/180874.htm
工作原理
圖1:準(zhǔn)諧振、LLC和非對(duì)稱半橋拓?fù)涞谋容^
輸出二極管電流降至零
當(dāng)初級(jí)端耦合回次級(jí)端時(shí)的斜坡變化
體二極管導(dǎo)通,直到MOSFET導(dǎo)通
這三種拓?fù)洳捎昧瞬煌募夹g(shù)來(lái)降低MOSFET的開(kāi)通損耗,導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式如下:
在這一公式中,ID 為剛導(dǎo)通后的漏電流, VDS 為開(kāi)關(guān)上的電壓, COSSeff 為等效輸出電容值(包括雜散電容效應(yīng)),tON 為導(dǎo)通時(shí)間,fSW 為開(kāi)關(guān)頻率。.
如圖1所示,準(zhǔn)諧振拓?fù)渲械?MOSFET 在剛導(dǎo)通時(shí)漏極電流為零,因?yàn)檫@種轉(zhuǎn)換器工作在不連續(xù)傳導(dǎo)模式下,故開(kāi)關(guān)損耗由導(dǎo)通時(shí)的電壓和開(kāi)關(guān)頻率決定。準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器在漏電壓最小時(shí)導(dǎo)通,從而降低開(kāi)關(guān)損耗。這意味著開(kāi)關(guān)頻率不恒定:在負(fù)載較輕時(shí),第一個(gè)最小漏電壓來(lái)得比較早。以往的設(shè)計(jì)總是在第一個(gè)最小值時(shí)導(dǎo)通,輕負(fù)載下的效率隨開(kāi)關(guān)頻率的增加而降低,抵消了導(dǎo)通電壓較低的優(yōu)點(diǎn)。在飛兆半導(dǎo)體的e-Series 準(zhǔn)諧振電源開(kāi)關(guān)中,控制器只需等待最短時(shí)間 (從而設(shè)置頻率上限),然后在下一個(gè)最小值時(shí)導(dǎo)通 MOSFET。
其它拓?fù)涠疾捎昧汶妷洪_(kāi)關(guān)技術(shù)。在這種情況下,上面公式里的電壓VDS將從一般約400V的總線電壓降至1V左右,這有效地消除了導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗。通過(guò)讓電流反向經(jīng)體二極管流過(guò)MOSFET,再導(dǎo)通MOSFET,可實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。二極管的壓降一般約為1V。
諧振轉(zhuǎn)換器通過(guò)產(chǎn)生滯后于電壓波形相位的正弦電流波形來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān),而這需要在諧振網(wǎng)絡(luò)上加載方波電壓,該電壓的基頻分量促使正弦電流流動(dòng) (更高階分量一般可忽略)。通過(guò)諧振,電流滯后于電壓,從而實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。諧振網(wǎng)絡(luò)的輸出通過(guò)整流提供DC輸出電壓,最常見(jiàn)的諧振網(wǎng)絡(luò)由一個(gè)帶特殊磁化電感的變壓器、一個(gè)額外的電感和一個(gè)電容構(gòu)成,故名曰LLC。
非對(duì)稱半橋轉(zhuǎn)換器則是通過(guò)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。這里,橋產(chǎn)生的電壓為矩形波,占空比遠(yuǎn)低于50%。在把這個(gè)電壓加載到變壓器上之前,需要一個(gè)耦合電容來(lái)消除其中的DC分量,而該電容還作為額外的能量存儲(chǔ)單元。當(dāng)兩個(gè)MOSFET都被關(guān)斷時(shí),變壓器的漏電感中的能量促使半橋的電壓極性反轉(zhuǎn)。這種電壓擺幅最終被突然出現(xiàn)初級(jí)電流的相關(guān)MOSFET體二極管鉗制。
選擇標(biāo)準(zhǔn)
這些能源優(yōu)化方面的成果帶來(lái)了出色的效率。對(duì)于75W/24V的電源,準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)可以獲得超過(guò)88%的 效率。利用同步整流 (加上額外的模擬控制器和一個(gè)PFC前端),更有可能在90W/19V電源下把效率提高到90% 以上。在該功率級(jí),雖然LLC諧振和非對(duì)稱半橋轉(zhuǎn)換器可獲得更高的效率,但由于這兩種方案的實(shí)現(xiàn)成本較高,所以這個(gè)功率范圍普遍采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器。對(duì)于從1W輔助電源到30W機(jī)頂盒電源乃至50W的工業(yè)電源的應(yīng)用范圍,e-Series集成式電源開(kāi)關(guān)系列都十分有效。在此功率級(jí)之上,建議使用帶外部MOSFET的FAN6300準(zhǔn)諧振控制器,它可以提供處理超高系統(tǒng)輸入電壓的額外靈活性,此外,由于外部MOSFET的選擇范圍廣泛而有助于優(yōu)化性價(jià)比。
準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)涫褂靡粋€(gè)低端MOSFET;而另外兩種拓?fù)湓谝粋€(gè)半橋結(jié)構(gòu)中需要兩個(gè)MOSFET。因此,在功率級(jí)較低時(shí),準(zhǔn)諧振反激式是最具成本優(yōu)勢(shì)的拓?fù)?。在功率?jí)較高時(shí),變壓器的尺寸增加,效率和功率密度下降,這時(shí)往往考慮采用兩種零電壓開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?br />
系統(tǒng)設(shè)計(jì)會(huì)受到四個(gè)因素所影響:分別是輸入電壓范圍、輸出電壓、是否易于實(shí)現(xiàn)同步整流,以及漏電感的實(shí)現(xiàn)。
圖2比較了兩種拓?fù)涞脑鲆媲€。為便于說(shuō)明,我們假設(shè)需要支持的輸入電壓為110V 和 220V。對(duì)于非對(duì)稱半橋拓?fù)洌@不是問(wèn)題。在我們?cè)O(shè)定的工作條件下,220V 和110V 時(shí)其增益分別為0.2和0.4 。在220V時(shí),效率較低,因?yàn)榇呕疍C電流隨占空比減小而增大。對(duì)于LLC諧振轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō),最大增益為1.2,要注意的是滿負(fù)載曲線非常接近諧振。0.6的增益將導(dǎo)致頻率極高,系統(tǒng)性能很差。總言之,LLC 轉(zhuǎn)換器不適合于較寬的工作范圍。通過(guò)對(duì)漏電感進(jìn)行外部調(diào)節(jié),LLC 轉(zhuǎn)換器可以用于歐洲的輸入范圍,但代價(jià)是磁化電流較大;若采用了PFC前端,它的工作最佳。而非對(duì)稱半橋結(jié)構(gòu)在輸入端帶有PFC級(jí),因此電路可工作在很寬的輸入電壓范圍上。
評(píng)論