DS2726在充電器反接時保護(hù)Li+電池的應(yīng)用
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3. 2 利用變阻器保護(hù)CC FET
CC是另一個暴露于負(fù)電壓的引腳，正常工作條件下，CC驅(qū)動充電控制器 FET的柵極，電壓擺幅達(dá)到PKP引腳電壓以關(guān)斷場效應(yīng)管。CC引腳拉至PKP電壓以下約10 V時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。由于PKP將被箝位在-0．45 V，CC無法打開FET。然而，充電控制FET只能承受±20 V的柵-源電壓。如果在充電控制器FET的柵極和源極之間增加變阻器V2，可保護(hù)CC FET免于損壞。如果沒有V2，柵-源電壓將達(dá)到-42 V左右，這將超出FET的額定值。
變阻器V2在16V打開，箝制柵-源電壓。則CC FET電壓為：-42V+16V=-26V。CC電阻兩端的壓降：-26V-(-0.45V)=-2555V。假定使用250mW的電阻則：250mW= (-25．55V)2/RCC其中，RCC=1．857 kΩ。
更大的CC和PKP電阻會導(dǎo)致充電控制器FET的通／斷時間增大，從而使FET打開時在線性區(qū)域停留較長時間。實際應(yīng)用中這個問題并不嚴(yán)重，因為電流受充電器限制。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/181219.htm
3．3 箝位SNS引腳
盡管CC FET關(guān)斷，負(fù)電壓作用在PK+使其體二極管導(dǎo)通。使SNS 出現(xiàn)負(fù)電壓，SNS是最后一個需要肖特基二極管箝位的引腳。保護(hù)FET漏極電壓：-42 V+O．6 V=-41.4 V。SNS引腳電壓將箝位在-0．45 V。SNS電阻兩端壓降：-41.4V-(-0．45V)=-39．95 V。假設(shè)使用250 mW的電阻：250 mW=(-39．95 V)2／RCC，其中，RCC=6．384 kΩ。比較器SNS引腳將吸收約1μA電流：1μA×6．384kΩ=6．384 mV。
這將在過電流門限引入誤差約6.4 mV。如果使用額定功率更大的電阻，可以減小電阻值，從而降低這個誤差。注意：SNS端的RC濾波器時間常數(shù)隨著電阻的提高而改變。因此，電容值也要相應(yīng)改變，以維持適當(dāng)?shù)臅r間常數(shù)。SNS的時間常數(shù)應(yīng)該與RDOC和RSC時間常數(shù)相一致。如果這些引腳的時間常數(shù)不一致，會在過流門限引入額外誤差。
4 結(jié)論
DS2726 Li+電池保護(hù)器經(jīng)過電路修改后，能夠在充電器反接時保護(hù)電池組。設(shè)計中雖然作出了一些折中考慮，但不會對保護(hù)器的整體工作性能造成影響。本文計算假設(shè)使用額定功率為250 mW的電阻。如果選擇額定功率更大的電阻，可以減小電阻值。較小的阻值有助于降低對過流門限產(chǎn)生的誤差電壓，也可以減小通／斷時間。還需注意的是確保不要超過肖特基二極管的額定電流。
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