ACT30系列IC獨立控制器及其應(yīng)用

圖5為ACT30的功能方框圖。主要包括：開關(guān)控制邏輯、兩個帶有并聯(lián)電流檢測的接通芯片中間電壓驅(qū)動MOSFET、驅(qū)動器、振蕩器斜坡產(chǎn)生器、電流限制VC發(fā)生器、誤差比較器、打嗝控制偏置、欠壓鎖定和調(diào)壓電路。

從圖5看出，該IC有6個內(nèi)部端子，VDD是電源供電端，DRVl和DRV2是線性驅(qū)動輸出，可以驅(qū)動外接NPN高壓晶體管或N溝道MOSFET管的射極。這種射極驅(qū)動方式，可充分利用晶體管的BVcbo高的優(yōu)點?？刹捎玫统杀镜木w管，如W13003D(BVcbo=700V)或W13003(BVcbo=600V)適用輸入電壓變化較寬的場合。轉(zhuǎn)換速度限制的驅(qū)動和外接NPN晶體管的截止特性一起可使EMI降低。
驅(qū)動峰值電流(相對于供電電壓VDD)設(shè)定有負壓系數(shù)，這樣，較低的供電電壓，會自動引導出較高的DRVl峰值電流，這種方式，當供電電壓降低時，光耦器可以直接控制VDD去影響驅(qū)動電流增加。
4)ACT30的啟動時序
圖2表明一個簡化的應(yīng)用電路。開始，微小電流通過電阻R1給電容C1充電，晶體管作為射極跟隨器，使DRVl電壓也隨之升高，內(nèi)部調(diào)節(jié)器產(chǎn)生VDD電壓使VDRl為3．6V(對于ACl730A／C)或4．6V(對于ACT30B／D)。不過，VDD不超過5．5V。當VDD達到5V時，該調(diào)節(jié)器電源的作用停止，VDD開始下降(由于有電流消耗)，當VDD電壓降到低于4．75V時，光耦反饋電路阻止VDD進一步下降。這種轉(zhuǎn)換作用也允許反饋繞組接替C1電容去供電。圖6為ATC30的典型啟動次序波形圖。為了限制反饋電壓，圖2中的VD1用12V穩(wěn)壓管(對于ACT30A／C)或者13V穩(wěn)壓管(對于ACT30B／D)。

由于啟動電流很小，可以把啟動電阻R1加大到2MΩ。實際的R1值應(yīng)按待機損耗和啟動時間延遲兩者兼顧考慮。
在正常工作時，來自變壓器次級側(cè)的反饋信號，通過光耦轉(zhuǎn)換成電流信號注入VDD腳。VDD腳的動態(tài)電阻為9kΩ。綜合的VDD電壓影響IC的轉(zhuǎn)換。從功能方框圖看出，電流限制VC產(chǎn)生器利用VDD電壓和基準電壓4．75V之間的差，在誤差放大器的負輸入端上產(chǎn)生一個成比例的偏差電壓。在每次開關(guān)周期開始點，該驅(qū)動器接通。當初級的電流增加時，電流檢測電阻電流(是變壓器初級電流的一部分)也隨時增加。
當電流檢測電阻上的電壓加上振蕩器斜坡信號，等于誤差比較器負的輸入電壓時，該驅(qū)動器就關(guān)斷。DRVl峰值電流具有負電壓系數(shù)，為一0．29A／V。
當輸出電壓小于調(diào)節(jié)器電壓，VDD腳上的電流就是零。并且VDD電壓下降，在VDD=VUV=3．35V，DRV1峰值電流最大為400mA。VDD電壓低時，驅(qū)動電流IDRV1最大，輸出升到調(diào)整點，超過此點，光耦又動作，來阻止VDD下降。
5)極限電流的調(diào)節(jié)
該IC專有的驅(qū)動安排，允許電流極限值在400mA及1．2A之間調(diào)節(jié)。
為了理解這點，該驅(qū)動器必須按線性電阻器件來使用。典型的電阻值為3．6Ω(而不是按數(shù)字輸出開關(guān)用)。電流極限值則可通過圖7所示的線性組合來計算。對于TO一92封裝ACT30A／C，均能設(shè)定到400mA極限值，而ACT30B／D被設(shè)定為800mA極限值。對于ACT30E(SOT23―5)包封，提供DVRl和DVR2兩個端子。