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名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

作者: 時(shí)間:2013-10-29 來源:中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

  眾所周知,晶體管要分成多種類型。其中,MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場效應(yīng)管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱為的結(jié)構(gòu)。正常工作時(shí)源極和襯底間的始終處于正向?qū)顟B(tài),所以在一般情況下,場效應(yīng)管的源極和襯底是連接在一起的,由此源極和襯底間的并沒有在電路中起作用。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/184707.htm

  據(jù)相關(guān)研究人員介紹,他們?cè)诩呻娐返幕締卧w管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)。

  他們據(jù)此提出了一項(xiàng)專利申請(qǐng),制造一種只有一個(gè)PN結(jié)的場效應(yīng)管,能夠完全取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)管、簡化場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、降低成本并提高集成度。

  相關(guān)研究人員表示,“單PN結(jié)場效應(yīng)管只需改變相應(yīng)設(shè)計(jì),完全能夠在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)的CMOS生產(chǎn)線上成功制造出來,希望能夠有設(shè)計(jì)和制造伙伴與我們進(jìn)行對(duì)接,盡快向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。”

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關(guān)鍵詞: 電子器件 PN結(jié)

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