平面磁集成EMI濾波器的等效并聯(lián)電容分析

引言

電磁干擾問題通常由于電路中表現(xiàn)不明顯的耦合路徑弄得很復(fù)雜，其明確而有效地解決方法一般都依賴于工程師的經(jīng)驗或建立在經(jīng)典模型上的數(shù)模仿真。令工程師們高興的是，如果所有的非接觸電磁干擾都能夠用傳統(tǒng)的集總元件建模，而這種模型可以與轉(zhuǎn)換電路圖表相結(jié)合來描繪全部傳導(dǎo)干擾和耦合干擾。這樣分析和預(yù)測就變得比較容易了。

集總元件電路模型適合分析和預(yù)測頻段在0～30 MHz的電磁干擾。在許多先前的研究和引出用于分析的所謂簡單模型過程中，了解重要的路徑通常至關(guān)重要。但是，在可能存在微小的耦合路徑的情況下，這些參數(shù)都很難獲得。為此，本文利用一種可用于分析所有容易產(chǎn)生非接觸電磁干擾的普通集總電路模型，來準確地分析平面型PCB EMI集成濾波器。由于該模型更接近真實情況，因此更能如實反應(yīng)平面型PCB EMI集成濾波器的濾波性能。

傳統(tǒng)的分立元器件在低頻狀態(tài)下，往往作為理想器件(即當作純電阻、純電感、純電容)來考慮。但在較高頻率下，器件特性將遠遠偏離其理想特性，因此，就必須考慮高頻分布參數(shù)對器件特性的影響。EMI電源濾波器中的主要元器件是電感和電容，為此，本文主要討論電感和電容的高頻分布參數(shù)對其濾波性能的影響。

因為EMI濾波器主要用于濾除高頻噪聲和高頻干擾信號，而由于電容器電感器的等效寄生參數(shù)將嚴重影響電源濾波器的高頻性能，因此，提高EMI電源濾波器的高頻性能就應(yīng)該重點提高EMI濾波器的高損耗，減小共模電感線圈的等效并聯(lián)電容，同時減小電容器的等效串聯(lián)電感。為了達到上述目的，本文提出了EMI電源濾波器的平面磁集成結(jié)構(gòu)。

1 EMI電源濾波器的平面磁集成結(jié)構(gòu)

為了實現(xiàn)EMI電源濾波器的平面磁集成結(jié)構(gòu)，這里引入了如圖1所示的L-C平面磁集成結(jié)構(gòu)。

圖1中的這個結(jié)構(gòu)是通過在平面絕緣板的兩面直接嵌入兩繞組導(dǎo)體而形成的，它通過控制繞組的連接點，使A、D為輸入點，C、D為輸出點。從而可等效得到如圖2所示的低通濾波器。

1.1 集成CM(共模)濾波器的實現(xiàn)

在共模勵磁下，EMI濾波器可以等效為兩個并聯(lián)的低通濾波器。因此，集成CM濾波器可以通過如圖3所示的兩個集成L-C繞組線圈來實現(xiàn)，圖3中的兩個集成L-C繞組線圈都被連接成為低通濾波器形式，它們之間有很強的磁耦合，其對應(yīng)的等效電路如圖4所示。

1.2 集成DM(差模)濾波器的實現(xiàn)

差模濾波器的等效電路是一個崩型低通濾波器，其濾波電感值很小。大約在10～20 μH范圍內(nèi)，兩個濾波電容值較大，其值在0.1～1 μF范圍內(nèi)。與分立EMI濾波器相同的是，在集成EMI濾波器中，差模電感也是利用集成CM扼流圈的漏感來實現(xiàn)的。在控制漏感值方面，平面CM扼流圈具有更多的靈活性，它可以在兩個繞組線圈中間插入一層額外的磁性材料。因此不需要改變CM電感器的匝數(shù)，這樣，漏感值就可以通過調(diào)整磁性材料的磁導(dǎo)率和有效面積來進行改變。這就給DM和CM電感器的解耦提供了一個機會。圖5所示是集成濾波器差模電感模型，圖6所示是集成濾波器差模電感的等效電路示意圖。

DM電容器可以用另一個連接成電容器的集成L-C繞組線圈來實現(xiàn)。它只有一匝或不到一匝，圖7和圖8所示分別是其差模電容及其等效電路。

圖9和10分別是平面型PCB EMI集成濾波器的二維結(jié)構(gòu)和三維結(jié)構(gòu)，該濾波器的所有參數(shù)都是通過該模型仿真得出的。

2 濾波器選材考慮

電源濾波器對高頻EMI信號的抑制比低頻EMI信號的消除容易得多，通常利用共模扼流圈的漏電感L所形成的差模電感就能消除0.3～30 MHz的傳導(dǎo)干擾電平。設(shè)計和選用濾波電感器一定要根據(jù)電路的實際需要而定。一般0.01～0.1 MHz范圍是差模干擾起主導(dǎo)作用.0.1～1 MHz范圍內(nèi)則是差模與共模干擾聯(lián)合作用，而1～30 MHz范圍主要是共模干擾起作用。因此，對濾波電感的磁性能要求完全不同。對共模電感要選用相對磁導(dǎo)率較高的材料，一般相對磁導(dǎo)率要達到15000左右;而差模則可選用相對磁導(dǎo)率低一點的，一般10～100左右。由于共模電容的地是接在機殼上，為了安全，共模電容不能太大，同時要選用介電常數(shù)高一點的，以增強電容的耐壓能力。表1所列為不同物質(zhì)的材料參數(shù)。

3 等效并聯(lián)電容的分析

由于這種L-C平面磁集成結(jié)構(gòu)的兩繞組靠得很近，因此，電網(wǎng)中的各種噪聲往往會通過它們之間的分布電容耦合進電路。解決這一問題的最好辦法是在初級和次級兩繞組間增加一個如圖11所示的靜電屏蔽層，其中C1和C2分別為初次級繞組與靜電屏蔽層之間的分布電容。

考慮到一個實際電感帶有的等效并聯(lián)寄生電容，其等效阻抗為：

如果式(1)的分母中增加一項ω2L2C2(并且滿足ω2L2C2=ω2L1C1)，那么有Z=jωL1，這樣就會變?yōu)槔硐氲碾姼?。基于這個想法，可以把一個電感器平分為兩部分，并且將其中點連接電容接地。其模型及等效電路分別如圖12和13所示。而將圖13分別進行解耦和Y/△變換，其得到的等效電路分別如圖14和15所示。且其變換參數(shù)為：