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基于集成電路構(gòu)成的振蕩電路

作者: 時間:2012-07-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/186138.htm

5、圖5是用CMOS與非門構(gòu)成的壓控振蕩器電路。該電路與圖1所示電路類似,CT可由CX代替,RT由用VA調(diào)節(jié)的NMOS管代替。RT變換范圍由1K~10K,其最小的值被并聯(lián)的RE(10K)和NMOS管所決定。NMOS一般從1K~10^8歐姆。當(dāng)VA=VS,N溝器件截止,則RT=R1=10K。當(dāng)VA=VDD,NMOS管充分導(dǎo)通,RT=1K。這種振蕩器的中心頻率可以通過CX來調(diào)節(jié)。

6、圖6是用與非門組成的可控振蕩器。在圖1的基礎(chǔ)上,在門F1的一個輸入端接一個控制電壓,組成可控振蕩器,當(dāng)控制電壓為1時,振蕩器工作,輸出矩形波;當(dāng)控制信號電平為0時,振蕩器停振,輸出停留在低電平狀態(tài)即無振蕩信號輸出。

7、圖7是用與非門組成的LC振蕩器。a為單只門LC振蕩器,b為雙門LC振蕩器,c為三門LC振蕩器。這種振蕩器的頻率誤差比上述幾種RC振蕩器小,頻率為F=1/2π√(2/LC),C=Ci=Co。

二、觸發(fā)器構(gòu)成的震蕩電路
1、圖8是用COMS電路D觸發(fā)器組成的占空比可調(diào)的脈沖發(fā)生器。
設(shè)電路初始狀態(tài)Q為低電平,/Q為高,/Q端通過RB對CB充電,使CB的端電壓升高,當(dāng)達(dá)到S的置位電平時,則/Q由高變低,Q端由低變高,CA開始被充電,CB通過RB并聯(lián)的D1放電,當(dāng)CA的電壓達(dá)到R的復(fù)位電平時,則復(fù)位,Q的電平又回到原來的狀態(tài),完成一個震蕩周期。

如 輸出脈沖從Q端輸出,脈沖持續(xù)時間TA=0.7RACA;截止時間TB=0.7RBCB;可通過調(diào)節(jié)其數(shù)值而改變占空比.
2、圖9是用D觸發(fā)器組成的相位控制和占空比可調(diào)的多功能震蕩器,具有起振和停振控制;VC為起振;VP為高時V0就為高,為低時V0就為低,原理和圖8似。



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